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EGe:N型同軸鍺探測(cè)器(GR系列)
  • EGe:N型同軸鍺探測(cè)器(GR系列)
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貨物所在地:上海上海市

更新時(shí)間:2025-01-26 21:00:07

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EGe:N型同軸鍺探測(cè)器(GR系列)的電極與傳統(tǒng)的同軸探測(cè)器相反,即p型電極(離子注入硼)位于外側(cè),而n型接觸(擴(kuò)散鋰)位于內(nèi)側(cè)。這種電極排列有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)——窗口厚度和抗輻射損傷能力。

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EGe:N型同軸鍺探測(cè)器(GR系列)簡(jiǎn)介

   N型同軸鍺探測(cè)器(GR系列探測(cè)器)在幾何形狀上與其他同軸鍺探測(cè)器相似,但有一個(gè)重要區(qū)別。REGe探測(cè)器的電極與傳統(tǒng)的同軸探測(cè)器相反,即p型電極(離子注入硼)位于外側(cè),而n型接觸(擴(kuò)散鋰)位于內(nèi)側(cè)。這種電極排列有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)——窗口厚度和抗輻射損傷能力。  


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EGe:N型同軸鍺探測(cè)器(GR系列)特點(diǎn)

   1、能量范圍3 keV~>10 MeV  

   2、超薄離子注入接觸的設(shè)計(jì)

   3、具有抗輻射損傷能力

   4、具有出色的時(shí)間分辨率

   5、二極管FET保護(hù)

   6、配備了智能前置放大器

   7、預(yù)熱/高壓關(guān)閉

   8、USB 2.0 串行接口



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