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NanoDrop One/OneC的UV-Vis模塊檢測(cè)

時(shí)間:2024/11/27閱讀:487
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UV-Vis檢測(cè)

檢測(cè)原理

UV-Vis應(yīng)用檢測(cè)的波長(zhǎng)范圍從 190nm 到 850nm,可以檢測(cè)多達(dá) 40 個(gè)波長(zhǎng)的吸收光,吸光度顯示在屏幕上,并納入檢測(cè)報(bào)告。此模塊功能可用于檢測(cè)未知樣品,確定最佳吸收波長(zhǎng),或者檢測(cè)擁有多個(gè)吸收峰的樣品。

NanoDrop One/OneC的UV-Vis模塊檢測(cè)

操作流程

1、在“主頁(yè)"屏幕上,選擇用戶自定義選項(xiàng)卡,然后點(diǎn)擊UV-Vis;

2、選定最多 40 個(gè)待監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)(或者您也可以在檢測(cè)完成后,再選定波長(zhǎng)),以及是否使用自動(dòng)化光程調(diào)整、分析波長(zhǎng)和基線矯正;

3、吸取2μL空白對(duì)照溶液滴加到基座上,降下檢測(cè)臂(或?qū)⒓尤肟瞻讓?duì)照溶液的比色皿插入比色皿架);

4、點(diǎn)擊Blank,等待檢測(cè)完成;

5、抬起檢測(cè)臂,使用無(wú)塵紙擦拭上下基座(或取下空白檢測(cè)比色皿);

6、將2μL樣品滴加至基座上,降下檢測(cè)臂(或?qū)悠繁壬蟛迦氡壬蠹埽?/p>

7、點(diǎn)擊檢測(cè);

8、完成檢測(cè)后,清潔基座,點(diǎn)擊結(jié)束實(shí)驗(yàn),檢測(cè)結(jié)束后的初始屏幕如下所示。

NanoDrop One/OneC的UV-Vis模塊檢測(cè)

UV-Vis檢測(cè)結(jié)果界面

若要查看所有的報(bào)告值,可按住選項(xiàng)卡,前三個(gè)輸入波長(zhǎng)的吸光度值將顯示在檢測(cè)屏幕中,可以看到用戶選定的所有波長(zhǎng)吸光值。下圖為示例:

NanoDrop One/OneC的UV-Vis模塊檢測(cè)

注意事項(xiàng)

1、每次做Blank前一定要先用去離子水清潔上下基座,可保證準(zhǔn)確;

2、擦拭用紙需采用柔軟、無(wú)屑的實(shí)驗(yàn)室專用擦拭紙;

3、測(cè)量前將樣品充分混勻;

4、吸樣及加樣時(shí)避免產(chǎn)生氣泡;

5、針對(duì)超高濃度樣品,每次測(cè)量完畢后,用去離子水清潔上下基座,這樣可以更好地保證下一次測(cè)量的準(zhǔn)確性;

6、同一液滴不能多次檢測(cè),如需重測(cè),需重新滴加同一樣品;

7、儀器遠(yuǎn)離陽(yáng)光直射和通風(fēng)口,以免樣品蒸發(fā);

8、連續(xù)測(cè)量一段時(shí)間后(30min)擦凈樣品,用去離子水清潔上下基座,然后用Buffer做Re-Blank后再檢測(cè);

9、儀器不用時(shí),放下檢測(cè)臂,減少灰塵;

10、不要在基座上使用氫氟酸(HF),氫氟酸會(huì)損壞石英光纖。


常見問題

1. 關(guān)于自動(dòng)化光程的選擇

可選的自動(dòng)化光程,允許軟件為檢測(cè)高濃度樣品而選擇最佳(更短)基座光程。


2. 關(guān)于基線矯正

可選的用戶自定義基線矯正值。

若選定基線矯正,軟件會(huì)從樣品光譜中所有波長(zhǎng)處的吸光度值減去選定基線矯正波長(zhǎng)處的吸光度值,矯正光散射粒子導(dǎo)致的任何偏移。因此,在選定基線矯正波長(zhǎng)處的樣品光譜吸光度為零。

例如:在此模塊下,儀器選定基線矯正默認(rèn)值為750nm,如果要測(cè)量樣品在 750 nm 處的吸光值,那么需要修改矯正波長(zhǎng)或關(guān)閉基線矯正。


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