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北京卓立漢光儀器有限公司

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卓立漢光邀您:共同探究半導體材料的光譜測試!

閱讀:3405      發(fā)布時間:2017-10-27
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卓立漢光邀您:共同探究半導體材料的光譜測試!

 

以氧化鋅(ZnO)等為代表的第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的新型半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優(yōu)點,是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,正在成為半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。 

ZnO具有激子束縛能高、可見光透過率高、紫外吸收強等特點,同時擁有壓電、熱電等特性,是一種*的第三代半導體材料。ZnO半導體材料的研究吸引了*科學家的關注,已成為當前科研的前沿熱點之一。經(jīng)過十多年持續(xù)的攻關研究,人們對ZnO半導體的光、電、磁及壓電等特性的理解和研究不斷深入。ZnO半導體在太陽能電池、發(fā)電機、傳感器、探測器、發(fā)光二管和激光器等領域的應用成果不斷涌現(xiàn),特別是ZnO透明導電膜、薄膜晶體管等方面的大規(guī)模工業(yè)應用已迅速展開。目前,ZnO的研究已進入功能擴展與綜合利用的新階段,有著巨大的潛在應用前景。 

 

全國氧化鋅學術會議是由中國物理學會發(fā)光分會主辦的專注ZnO科學研究進展交流的全國性重要會議,每兩年舉辦一次。第八屆全國氧化鋅學術會議擬定于2017年10月29-31日在南寧市相思湖大酒店召開,本屆會議由北京科技大學、廣西大學和廣西光學學會聯(lián)合承辦。本屆會議旨在集中展示我國ZnO研究領域取得的科研成果,為相關科技工作者提供一個學術和技術交流的平臺,共同研討ZnO研究中存在的基本科學和技術問題,探尋解決途徑,大力推動我國在ZnO相關物理問題和器件應用方面的研究。

卓立漢光歡迎海內外從事ZnO研究的大咖與我們共同探究半導體材料的奧秘!同時,歡迎參加第八屆全國氧化鋅學術會的朋友們,現(xiàn)場了解我司光譜產(chǎn)品在ZnO領域的應用!

 

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