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箱式氣氛爐優(yōu)缺點
箱式氣氛爐優(yōu)缺點氣氛實驗爐由爐體加熱部分、液壓推進系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)等組成。
多種材料混合物在99.99﹪N2保護氣氛下，在1200℃以下煅燒，產(chǎn)品在煅燒過程中有CO、CO2、H2O等廢氣排出。要求整個爐膛有良好的保護氣氛 環(huán)境，避免產(chǎn)品氧化。
入爐到加熱段尾端共設(shè)置20.5米加熱區(qū)，在加熱區(qū)后面設(shè)4.5米水冷降溫段，通過強制水冷將產(chǎn)品和缽具的熱量帶走，保證產(chǎn)品出口溫度小于200℃。
箱式氣氛爐溫區(qū)劃分：爐體總長度共計25000mm，其中加熱段長度20米，共設(shè)置10個控溫段，每個控溫段長度約2米。為了保證爐膛溫度均勻度，加熱段采用上下加熱腔獨立及熱控溫，全爐共設(shè)置20個獨立控溫點。在降溫段設(shè)有2個測溫點，以便于調(diào)節(jié)降溫水量，控制降溫速度及產(chǎn)品出口溫度
氣氛 | 影響 | 對策 | 推薦涂層 |
水蒸氣和濕氣 | 比在干燥大氣中的使用壽命縮短1/5 | 新爐子試運行或者舊爐子長時間不工作再使用時，要先低溫充分干燥后再升溫。 | U涂層 |
氫氣 | 硅碳棒溫度上升到1350℃以后電阻急速增加，機械強度也下降。而且根據(jù)氣體干濕的不同壽命也差別很大。 | 建議在爐內(nèi)溫度為1300℃以下的狀態(tài)下使用。表面負荷盡量?。?W/cm2）。 | |
氮氣 | 溫度超過1400℃時氮氣與碳化硅反應(yīng)生成氮化硅，使硅碳棒變脆，壽命縮短。受露點的影響與氫氣的狀況相同 | 建議在爐內(nèi)溫度為1300℃以下的狀態(tài)下使用。表面負荷盡量?。?W/cm2）。 | N涂層 |
氨氣（H275%）、（N225%） | 與氫氣、氮氣的狀況相同。 | 建議在爐內(nèi)溫度為1300℃以下的狀態(tài)下使用。表面負荷盡量小。 | N涂層 |
分解反應(yīng)氣體（N2、CO、CO2、H2、CH2混合物） | 加熱過程中硅碳棒表面附著分解后的碳黑，造成棒體疏松。 | 經(jīng)常向爐內(nèi)輸送空氣，讓多余的碳燃燒。在爐子構(gòu)造方面，保持硅碳棒間足夠的間隔以防止短路。 | N涂層 |
硫（S、SO2） | 硅碳棒溫度升到1300℃以后，硅碳棒表面被侵蝕、電阻急劇增加。 | 將硅碳棒溫度控制在1300℃以下。 | N涂層 |
其他 | 由被處理物產(chǎn)生的各種物質(zhì)，如鉛、銻、堿金屬的化合物與硅碳棒反應(yīng)，使其壽命縮短。 | 預先將這些物質(zhì)從處理物中除掉，爐內(nèi)設(shè)排氣口以便減弱其影響。 | H涂層 |
S涂層 |
