搭載全新5G SoC芯片，采用7nm+EUV制成工藝的國產(chǎn)手機5G版重磅來襲??！

將5G基帶集成到SoC上，創(chuàng)新的達芬奇架構，全新的16核GPU，使得您的手機運行更快更自然。手機性能的快速提升，歸根結底是半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

半導體產(chǎn)業(yè)上游是IC設計公司與硅晶圓制造公司，IC設計公司依客戶的需求設計出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務就是把IC設計公司設計好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測廠實施封裝與測試，即大功告成！

硅片是半導體制造業(yè)的基礎材料，硅片表面極其少量的無機雜質(zhì)元素污染都可能器件的功能喪失或者可靠性變差，例如：

• 堿金屬及堿土金屬（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）污染會導致元件擊穿電壓降低；

• 過渡金屬與重金屬（Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等）污染可使元件的壽命縮短，或者使元件工作時的暗電流增大；

• 滲透元素（B、Al、As等）本身用于形成元件，如果是污染，則改變了元件的工作點，使器件產(chǎn)生工作錯誤等；

硅片表面及處理硅片過程中所使用試劑中的無機元素監(jiān)測是硅片制造及使用過程中*的流程，也是提升元器件性能的重要方法及指標。

賽默飛四極桿型ICP-MS

針對半導體硅片表面及處理硅片所使用試劑中的無機元素雜質(zhì)含量均為痕量級別，且待測元素種類多，四極桿型ICP-MS由于其檢出限低、分析速度快等優(yōu)點被廣泛應用于半導體行業(yè)中無機雜質(zhì)元素的分析中。賽默飛可為您提供iCAP RQ單四極桿ICP-MS及iCAP TQ三重串聯(lián)四極桿型ICP-MS。

iCAP RQ 單四極桿ICP-MS

隨著半導體行業(yè)的不斷發(fā)展，半導體行業(yè)無機雜質(zhì)元素檢出*可能低至1ppt。對此，賽默飛專門推出半導體串聯(lián)四極桿型iCAP TQs ICP-MS：

iCAP TQs 三重四極桿ICP-MS

性能優(yōu)勢

• 符合人體工程學；

• 緊湊型設計，適用于與在線監(jiān)測系統(tǒng)和氣相蝕刻系統(tǒng)集成使用；

• 自適應化學惰性進樣系統(tǒng)確保小的污染以得到可重復穩(wěn)定數(shù)據(jù)；

• 穩(wěn)健性能，一次分析中采用結合熱和冷等離子體方式；

• 通過軟件流程實驗全自動并簡化的日常分析工作；

• 易于安裝，需要的安裝尺寸小，對潔凈室和生產(chǎn)場地要求小；

• 標配He, O?, H?, NH? 4路碰撞反應氣體，能夠*消除ICP-MS測試過程中遇到的多原子離子干擾；標配有機加氧裝置，可直接分析半導體行業(yè)遇到的有機試劑；

• 標配干泵，降低泵的使用及維護成本；避免油泵帶來的油霧顆粒，降低潔凈間的維護成本；

• 穩(wěn)健可靠的冷焰模式，同一方法中可實現(xiàn)不同模式切換；冷、熱等離子體間切換，儀器長期穩(wěn)定性依然好；

• 專門Reaction Finder功能，智能推薦反應產(chǎn)物，簡化方法開發(fā)流程，是提升方法開發(fā)的有效手段；Q1實現(xiàn)1amu的質(zhì)量篩選，能更好的降低質(zhì)譜干擾的形成；

• *的結構設計令操作及儀器維護更簡單；

實驗數(shù)據(jù)

硅片經(jīng)VPD處理后會以溶液的形式被收集，經(jīng)VPD掃描的硅會在處理過程中與HF反應被除去，掃描液中硅的含量很低，對儀器沒有耐高鹽的要求，采用標配iCAP TQs ICP-MS對樣品進行分析，測試元素為半導體常規(guī)關注元素。分析方法經(jīng)過Reaction Finder的優(yōu)化，測試結果真實可靠。

為驗證TQs ICP-MS在半導體硅片樣品測試中的穩(wěn)定性，對掃描液進行加標100ng/L，連續(xù)測試兩個小時。測試結果表明，半導體所關注的元素在兩個小時內(nèi)RSD值均在5% 以內(nèi)，證明儀器的穩(wěn)定性能良好。

賽默飛針對半導體行業(yè)不僅可以提供無機元素分析儀器ICP-MS，還能提供離子色譜用于陰離子分析及GC-MS用于廠務氣體中揮發(fā)性有機物的分析。除此之外，賽默飛還為客戶提供物理失效分析、電子失效分析等分析儀器。綜上賽默飛可為半導體企業(yè)提供完整的解決方案，助力中國半導體企業(yè)騰飛！