由于PI隔膜目前難以加工和量產(chǎn)，制備PI多孔膜的常用方法實(shí)用性欠佳，因此學(xué)者們還探索了其他制備PI多孔膜的方法，如燒結(jié)法、輻照刻蝕法、接枝或共聚不穩(wěn)定鏈段法等。

HMUNAKATA等將硅膠晶體過(guò)濾后得到沉降有硅離子的膜，將這層膜在1100℃下高溫?zé)Y(jié)處理后，得到硅離子排列規(guī)整的模板，在硅模板間澆注聚酰胺酸溶液，高溫亞胺化后得到Si/PI復(fù)合膜，用Hydrofluoric acid將硅刻蝕后得到PI多孔膜。

將該膜直接用于甲醇燃料電池后發(fā)現(xiàn)，通過(guò)改變孔的大小可以抑制甲醇的滲透，其質(zhì)子傳導(dǎo)率/甲醇滲透率為1.2×105Scm-3s，比Nafion膜高一個(gè)數(shù)量級(jí)。

崔清臣等提出了一種輻照刻蝕法制備PI多孔膜，其過(guò)程是以PI薄膜為基材，用高能量重離子對(duì)PI表面進(jìn)行輻照，然后用紫外線或溶劑對(duì)PI薄膜進(jìn)行敏化，將敏化的PI薄膜浸于NaOH-KMnO4溶液中進(jìn)行化學(xué)刻蝕，獲得孔徑為0.01～3μm的多孔PI薄膜。

KRCARTER等在全氟骨架的PI鏈上引入熱不穩(wěn)定聚環(huán)氧丙烷，使其在310℃的惰性氣氛中亞胺化后，再在250℃的有氧環(huán)境中進(jìn)行熱處理，使熱不穩(wěn)定聚環(huán)氧丙烷鏈段降解，得到多孔PI膜。然而在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中以上幾種PI多孔膜的制備方法都缺少相應(yīng)的配套設(shè)備，影響了其產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。