即使是超痕量的雜質(zhì)都可能會導致硅基半導體器件發(fā)生缺陷。由于許多重要的待測元素在使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀分析時會受到等離子產(chǎn)生的分子和同質(zhì)異位素的干擾，因此對許多重要的待測元素的分析都很困難，這進一步增加了分析硅雜質(zhì)的難度和復(fù)雜性。NexION 300 ICP-MS通過向通用池中通入適當?shù)牡土髁糠磻?yīng)氣和使用*的動態(tài)帶通調(diào)諧（DBT）的功能，使離子束進入四級桿質(zhì)譜前就將干擾去除。本應(yīng)用報告證明了NexION 300S ICP-MS使用低流量霧化器對小體積體硅樣品中的雜質(zhì)元素進行測定的能力。

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