在這種情況下，雖然可以用ICP、ICP-MS對(duì)高純硅進(jìn)行分析,但在預(yù)處理過(guò)程中必須添加大量HF來(lái)使Si*溶解,分析時(shí)存在一定難度。使用ICP、ICP-MS分析時(shí)存在光學(xué)干擾,而儀器的結(jié)構(gòu)又決定了Si的檢出限比其他元素更高,所以為了分析低濃度的Si,必須去除光學(xué)干擾或更換儀器進(jìn)樣系統(tǒng)(霧室、霧化器、中心管、炬管)。
本實(shí)驗(yàn)的目的是利用NexION的DRC模式確定分析Si的條件。
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