* 頻率范圍:
E4430B 250K-1GHz
E4431B 250K-2GHz
E4432B 250K-3GHz
E4433B 250K-4GHz
*供單信道和多信道CDMA用的測量卡
*用于I和Q的20 MHz射頻帶寬
*極度高的電平精度
*步進掃描(頻率、功率和列表)
*寬帶調幅、調頻和調相
*內部數(shù)據(jù)發(fā)生器和突發(fā)脈沖功能(選件UN8)
*靈活形成定制調制選件UN8,UND)
*機內有供DECT、GSM、NADC、PDC、PHS和TETRA用的TDMA格式(選件UN8)
*內部雙任意波形發(fā)生器(選件UND)
*內部誤碼率分析儀(選件UND7)
* 3年保用期
產品介紹
AgilentESG-D系列射頻信號發(fā)生器除具有廣泛的特性和優(yōu)良的模擬性能之外,還提供多種數(shù)字調制功能,而且在價格方面亦能被用戶所接受。他們提供了*的調制精度和穩(wěn)定度,以及的電平精度。AgilentESG-D系列特別適于滿足當前數(shù)字接收機測試、元器件測試和本地振蕩器應用日益提高的要求。
專門定制的調制和DECT、EDGE、GSM、NADC、PDC、PHS、TETRA標準(選件UN8)
內部生成通用標準的信號來對接收機進行測試。改變調制類型、數(shù)據(jù)、碼元速率、濾波器型式和濾波因數(shù),以生成供元器件和系統(tǒng)容限測試用的定制信號。很容易配置時隙來模擬不同類型的通信業(yè)務量、控制信道或同步信道(或突發(fā)信號)??僧a生具有內部突發(fā)功能移動站或基站傳輸。還降低了對具有綜合數(shù)據(jù)生成功能的外部設備的需求。
內部雙任意波開發(fā)生器(選件UND)
能重現(xiàn)幾乎任何以數(shù)學形式生成的波形??上螺d長波形或多個波形(達1M取樣),以放置或貯存到非易失RAM中供隨后使用。14比特的數(shù)模轉換器(DAC)分辨率擴大了動態(tài)范圍和改善了噪聲性能。在對I/Q生成進行優(yōu)化后,雙任意波形發(fā)生器選件將使裝置大為簡化。
W-CDMA和Cdma 2000
能產生符合正在擬定的標準的正確編碼信號。模擬用于基站和移動接收機測試的全編碼信道或部分編碼統(tǒng)計修正的多信道信號,可以對用于正在擬定的3G標準的有源元件進行的大容量測試。
多信道和多載波CDMA
AgilentESG-D系列提供CDMA(選件UN5)測量卡。用多個信道產生多載波CDMA信號,每個載波用于基站和移動站的系統(tǒng)或元件測試。通過選擇預定的多載波CDMA配置或明確確定每個信道對每個載波的特性,可以為某些特殊的需要,如互補累積分布函數(shù)(CCDF)專門制定某種測試。
內部誤碼率分析儀(選件UN7)
為測量靈敏度和選擇性而進行誤碼率分析。選件UN7提供用于PN9或PN15比特序列的分析功能,并指出用戶規(guī)定的測試極限的合格或不合格條件。
寬帶I和Q調制
利用模擬I和Q輸入,產生復雜的調制格式,以滿足射頻數(shù)字通信系統(tǒng)開發(fā)研究和測試的需要。機內正交調制器處理I和Q輸入信號,以在10MHz(1dB)帶寬范圍提供*的調制精度和穩(wěn)定度。
*的電平精度
AgilentESG-D系列射頻信號發(fā)生器能在寬的功率范圍(+13dBm~-136dBm,利用選件UNB時為+17dBm~-136dBm)以*的電平精度進行、有效的靈敏度測試。內部調制格式的電平精度優(yōu)于±1.1dB(典型值為+0.6dB),從而保證甚至對zui靈敏的數(shù)字接收機也能進行精密測量。
技術指標
頻率范圍:
E4430B 250K-1GHz
E4431B 250K-2GHz
E4432B 250K-3GHz
E4433B 250K-4GHz
·關于模擬遠程編程和一般技術指標,參閱ESG系列數(shù)字調制的電平精度
(ALC接通;相對于連續(xù)波;偽隨機二進制脈沖序列(PRBS)已調數(shù)據(jù))^1л/4DQPSK或QPSK格式:±0.15dB(采用余弦平方或余弦平方根濾波器,α≥0.35;1KHz≤符號速率≤1MHz,射頻頻率≥25MHz;功率≤zui大額定值-3dBm或用選件UNB時為-6dBm)
·恒定幅度格式
(FSK,GSMK等):功率電平精度未降低
·ALC斷開時的電平精度^2:±0.3dB,典型值(在完成功率搜索之后,相對于ALC接通時的連續(xù)波電平精度;若啟動外部I/Q:SQR1^2+Q^2+0.5V rms)
·I/Q調制
·I&Q輸出
·輸入阻抗:50Ω
·滿刻度輸入:SQR1^2+Q^2=0.5 V rms
·調節(jié)/減損(額定值):
·直流偏置:(I和Q分別獨立可調)+100%
·I/Q增益比:±4dB
·I/Q正交:±10°
·直流矢量精度
·相對于滿刻度,功率≤+7dBm(對于選件UNB,≤+10dBm)
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