AEC-Q200試驗(yàn)條件
說(shuō)明:AEC-Q200的環(huán)境試驗(yàn)條件,主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來(lái)制定的,不同零件的試驗(yàn)溫度除了不一樣之外,其施加電源(電壓、電流、負(fù)載)要求也會(huì)有所不同,高溫儲(chǔ)存屬于不施加偏壓與負(fù)載,但是在高溫工作壽命就需要,溫度循環(huán)與溫度沖擊,其試驗(yàn)?zāi)康呐c手法不一樣,在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率,溫沖擊則不用,偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗(yàn),而濕度抵抗就是濕冷凍試驗(yàn)
試驗(yàn)條件注意事項(xiàng):1000h試驗(yàn)過(guò)程需在250h、500h進(jìn)行間隔量測(cè)
高溫儲(chǔ)存(MIL-STD-202-108):[適用設(shè)備:高低溫試驗(yàn)箱]
薄膜電容、網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過(guò)濾器:85℃/1000h
電感、變壓器、電阻:125℃/1000h
變阻器:150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容:*大額定溫度/1000h
高溫工作壽命(MIL-STD-202-108):[適用設(shè)備:高低溫試驗(yàn)箱]
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻:85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過(guò)濾器:85℃/1000h/施加額定IL
鉭電容、陶瓷電容:*大額定溫度/1000h/ (2/3)負(fù)載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器:105℃/1000h
薄膜電容:1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲:125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容:125℃/1000h/額定電壓
可變電阻:125℃/1000h/額定功率
變阻器:125℃/1000h/額定電壓85%+ma電流
陶瓷共鳴器:85℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英震蕩器:125℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
溫度循環(huán)(JEDEC22A-104):[適用設(shè)備:冷熱沖擊試驗(yàn)箱、ESS快速溫度變化試驗(yàn)箱]
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過(guò)濾器:-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻: -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
溫度沖擊(MIL-STD-202-107):[適用設(shè)備:溫度循環(huán)箱、冷熱沖擊試驗(yàn)箱]
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