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太陽能電池片隱裂的檢測識別方法

來源:蘇州萊科斯新能源有限公司   2020年05月13日 02:10  

 隱裂直接影響光伏組件性能,也是電池片生產(chǎn)中需要重點檢測分選的缺陷之一,隨著光電技術(shù)和機器視覺圖像檢測技術(shù)的發(fā)展,EL檢測儀成為太陽能隱裂等缺陷的主要手段,今天萊科斯科技公司重點就來和大家分選一下電池片隱裂產(chǎn)生原因和現(xiàn)在主流的檢測識別方法。

  1、什么是“隱裂”?

  隱裂是電池片常見的缺陷隱患。

  由于晶體結(jié)構(gòu)的自身特性,晶硅電池片十分容易發(fā)生破裂。晶體硅組件生產(chǎn)的工藝流程長,許多環(huán)節(jié)都可能造成電池片隱裂。隱裂產(chǎn)生的本質(zhì)原因,可歸納為在硅片上產(chǎn)生了機械應(yīng)力或熱應(yīng)力。

  近幾年,晶硅組件廠家為了降低成本,晶硅電池片一直向越來越薄的方向發(fā)展,從而降低了電池片防止機械破壞的能力。

  2011年,德國isfh公布了他們的研究結(jié)果:根據(jù)電池片隱裂的形狀,可分為5類:樹狀裂紋、綜合型裂紋、斜裂紋、平行于主柵線、垂直于柵線和貫穿整個電池片的裂紋。

晶硅電池隱裂形狀

 

圖1:晶硅電池隱裂形狀

  2、“隱裂”對組件性能的影響
  不同的隱裂形狀、位置,對電池片功能造成的影響是不一樣的,我們先來看一張電池片的放大圖片了解一下。

晶硅電池片結(jié)構(gòu)

圖2:晶硅電池片結(jié)構(gòu)

  根據(jù)晶硅電池的結(jié)構(gòu),如上圖,電池片產(chǎn)生的電流要依靠“表面的主柵線及垂直于主柵線的細柵線” 搜集和導出。當隱裂導致細柵線斷裂時,細柵線無法將收集的電流輸送到主柵線,將會導致電池片部分甚至全部失效。

  基于上述原因,對電池片功能影響大的,是平行于主柵線的隱裂(第4類)。根據(jù)研究結(jié)果,50%的失效片來自于平行于主柵線的隱裂。

  45°傾斜裂紋(第3類)的效率損失是平行于主柵線損失的1/4。

  垂直于主柵線的裂紋(第5類)幾乎不影響細柵線,因此造成電池片失效的面積幾乎為零。

  相比于晶硅電池表面的柵線,薄膜電池表面整體覆蓋了一層透明導電膜,所以這也是薄膜組件無隱裂的一個原因。

  有研究結(jié)果顯示,組件中某單個電池片的失效面積在8%以內(nèi)時,對組件的功率影響不大,組件中2/3的斜條紋對組件的功率穩(wěn)定沒有影響。因此,當組件中的電池片出現(xiàn)隱裂后,可能會產(chǎn)生效率損失,但不必談隱裂“色變”。

  3、檢測“隱裂”缺陷的主要方法

  el(electroluminescence,電致發(fā)光)是簡單有效的檢測隱裂的方法。其檢測原理如下。

  電池片的核心部分是半導體pn結(jié),在沒有其它激勵(例如光照、電壓、溫度)的條件下,其內(nèi)部處于一個動態(tài)平衡狀態(tài),電子和空穴的數(shù)量相對保持穩(wěn)定。

  如果施加電壓,半導體中的內(nèi)部電場將被削弱,n區(qū)的電子將會被推向p區(qū),與p區(qū)的空穴復(fù)合(也可理解為p區(qū)的空穴被推向n區(qū),與n區(qū)的電子復(fù)合),復(fù)合之后以光的形式輔射出去,即電致發(fā)光。

當被施加正向偏壓之后,晶體硅電池就會發(fā)光,波長1100nm左右,屬于紅外波段,肉眼觀測不到。因此,在進行el測試時,需利用ccd相機輔助捕捉這些光子,然后通過計算機處理后以圖像的形式顯示出來。

 

  4、總結(jié)

  1)隱裂有多種,并不是所有的隱裂都會影響電池片的性能;

  2)在組件生產(chǎn)、運輸、安裝和維護過程中,考慮到晶硅組件的易裂特征,還需在各工序段和搬運、施工過程中改進和細化作業(yè)流程,減小組件隱裂的可能性,同時在在原材料環(huán)節(jié)加強硅片隱裂檢測,避免有隱裂缺陷的原材料流入下道工序。

  3)EL檢測儀是目前簡單有效的檢測隱裂的方法。

 

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