高磁場型霍爾效應測試系統(tǒng) 技術指標

產(chǎn)品概述：

本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall

Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

此處只列出系統(tǒng)的主要技術指標。

可測試材料: ?

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；? 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；

        高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

技術指標：

* 磁 場：10mm 間距為 2T 20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測量電壓：0.1uV~30V ▲ 提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* 小分辨率：0.1GS

* 磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計或數(shù)采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)的變化曲線

* 電阻率范圍：10-⁷ ~10¹² Ohm*cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：10³ ~10²³ cm -³

* 遷移率：0.1~10⁸ cm ² /volt*sec

*測試全自動化，一鍵處理

高精度電磁鐵：

極頭直徑 100mm;

N，S 間距 10mm 時大磁場 20000Gs;

N，S 間距 20mm 時大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時大磁場 10000 高斯;

均勻區(qū)：間距 60mm 時直徑 10mm 均勻度范圍;1%

自重 210 公斤; 含支架及輪子

高精度高斯計：

精度：讀數(shù)的±0.30%

分辨力：0.01mT 量程:0-3T

探頭厚度:1.0mm

長度 100mm 數(shù)字

Rs-232 接口數(shù)據(jù)讀取軟件配 GF-80探頭

高精度雙極性恒流電源輸出：±10A±40V 功率；400W

① 電源輸出電流可在正負額定大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過零點，非開關換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負載）

④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定大輸出電流）

※ 電流穩(wěn)定度高，紋波低

①電流穩(wěn)定度：優(yōu)于±25ppm/h（標準型）；優(yōu) 于±5ppm/h（高穩(wěn)型） ② 電流準確度：±（0.01%設定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）

⑤ 負載效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負載變化 10%時，輸出電流變化量）

⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA

高精度高斯計：

高斯計探頭支架及樣品架 全鋁非導磁支架 5-70mm 可調(diào)；

樣品架夾具（按要求定制）;

霍爾效應系統(tǒng)軟件：可數(shù)字化調(diào)節(jié)磁場及電流,測試各類材料參數(shù)，

恒流源及測試表：

恒流源量程：±50nA-±50mA；

分辨力 0.1nA 在量程范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；

高精度電壓數(shù)采儀范圍 0. 1uV-30V

精度：0.01%

內(nèi)置測試矩陣轉(zhuǎn)換卡； 7 1 歐姆接觸套件 根據(jù)不同材料的歐姆接觸制作套件