LTE測(cè)試指導(dǎo)

LTE測(cè)試指導(dǎo)

本文檔主要介紹根據(jù)3GPP 36.521，使用CMW500進(jìn)行LTE測(cè)試的方法及測(cè)試步驟。

2.1 初始化設(shè)置

1. 點(diǎn)擊CMW500左上角RESET鍵，彈出復(fù)位界面 。

1. 選擇Global菜單下的Reset選項(xiàng)，然后點(diǎn)擊Reset按鈕確認(rèn).

1. 設(shè)置線損，在LTE Signaling界面下點(diǎn)擊Config按鈕，在RF Settings下選擇測(cè)試端口以及線損。

1. 設(shè)置功率控制模式，在LTE Signaling界面下點(diǎn)擊Config按鈕，在Uplink Power Control下選擇TX Power Control（TPC），Active TPC Setup選擇為Max power模式。

1. 網(wǎng)絡(luò)連接設(shè)置，在LTE Signaling界面下點(diǎn)擊Config按鈕，在Connection下選擇Additional Spectrum Emission設(shè)置為NS_01模式。UE Meas. Filter Coefficient設(shè)置FC4模式。

1. 點(diǎn)擊面板上Measure按鈕，選擇LTE1 Multi Eval菜單
2. 點(diǎn)擊右下角Config按鈕，選擇LTE1 Multi Eval菜單，選擇Scenario設(shè)置為Combined Signal Path模式，即信令模式。

1. 測(cè)試控制設(shè)置。選擇Measurement Control，設(shè)置Repetition為Continuous模式

1. 選擇Modulation，設(shè)置Modulation Scheme為Auto模式

10）點(diǎn)擊Measure選擇LTE Signaling模式

11）在Operating Band內(nèi)選擇頻段，Downlink Channel選擇信道，Cell Band選擇帶寬，點(diǎn)擊面板上的ON按鈕打開小區(qū)，開始注冊(cè)。

12）小區(qū)顯示Attached附著成功，點(diǎn)擊Connect進(jìn)行連接

注：對(duì)于FDD模式和TDD模式需要設(shè)置不同的測(cè)量子幀，該參數(shù)的默認(rèn)值為0，對(duì)于FDD模式而言，默認(rèn)設(shè)置即可。對(duì)于TDD模式測(cè)量子幀只能從以下4個(gè)值中選取{2,3,7,8}

三、發(fā)射機(jī)測(cè)試指標(biāo)

3.1、大發(fā)射功率測(cè)試（6.2.2）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM。

3） 按Signaling Parameter→Connection Setup，將上行RMC參數(shù)按照協(xié)議進(jìn)行設(shè)置，并且設(shè)置Modulation為QPSK；按TPC…將Active TPC Setup設(shè)置為Max Power。

4）在EVM測(cè)量界面下讀取終端發(fā)射功率。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)： 23±2.7 dBm.

注：對(duì)于符合Figure 5.4.2-1, Table 5.4.4-1的發(fā)射機(jī)的頻段，當(dāng)RB范圍在FUL_low —FUL_low + 4 MHz或者 FUL_high — 4 MHz and FUL_high大輸出功率下限可以下降1.5dB

3.2、大功率衰減（MPR）（6.2.3）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM。

3）按Signaling Parameter→Connection Setup，將上行RMC參數(shù)按照協(xié)議進(jìn)行設(shè)置。設(shè)置Modulation為QPSK；按TPC…將Active TPC Setup設(shè)置為Max Power。

4）在EVM測(cè)量界面下讀取終端發(fā)射功率。

5）修改Modulation為16QAM，在此調(diào)制方式下讀取終端發(fā)射功率。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

3.3、額外大功率回退（A-MPR）（6.2.4）

測(cè)試步驟：

    同大發(fā)射功率，根據(jù)6.2.4.3-1修改Additional Spectrum Emission值

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：不同頻段測(cè)試限值參照協(xié)議6.2.4.5

3.4、配置UE功率測(cè)試（6.2.5）

測(cè)試步驟： 

1）進(jìn)入LTE Signaling→Config→Uplink Power Control界面下選擇Active TPC Setup設(shè)為Max Power，將Max.allowed power P-max參照協(xié)議設(shè)置為-10dBm。

2）打開小區(qū)，使得UE注冊(cè)到網(wǎng)絡(luò)，連接UE。

3）在EVM測(cè)量界面下讀取終端發(fā)射功率。

4）修改Max.allowed power P-max，分別在10dBm/15dBm下重復(fù)步驟1）-3）進(jìn)行測(cè)試。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.2.5.5-1: PCMAX configured UE output power

3.5、小輸出功率（6.3.2）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM。

3）按Signaling Parameter→Connection Setup，將上行RMC參數(shù)按照協(xié)議進(jìn)行設(shè)置，并且設(shè)置Modulation為QPSK；按TPC…將Active TPC Setup設(shè)置為Min Power。

4）在EVM測(cè)量界面下讀取終端發(fā)射功率。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.3.2.5-1: Minimum output power

3.6、關(guān)斷功率+ON/OFF 時(shí)間模板（6.3.4.1）

測(cè)試步驟：

1. 將Scheduling Type 切換到User defined TTI Based，按Edit ALL參照下圖進(jìn)行配置（以20M帶寬為例，其余測(cè)試帶寬參照Table 6.3.4.1.1.1-1 進(jìn)行修改）。

時(shí)間模板測(cè)試上下行RB配置—FDD

時(shí)間模板測(cè)試上下行RB配置—TDD

Table 6.3.4.1.4.1-1: Test Configuration Table

1. 如果不支持Advance PRACH/OL Power Setting，根據(jù)下表設(shè)置PUSCH Open Loop Nominal。

（LTE Signaling→Config→Uplink Power Control→PUSCH Open Loop Nomianl）

支持Advance PRACH/OL Power Setting，使用默認(rèn)值，設(shè)置PO Nominal PUSCH為-105dBm。

1. LTE Signaling→Config→Uplink Power Control→Tx power Control（TPC）→Active TPC Setup→Constant Power
2. 打開LTE小區(qū)，小區(qū)開啟之后，將終端開機(jī)等待終端Attach到CMW500，終端Attach之后，按Connect 軟鍵建立連接。
3. 將Exp. Nominal Power Mode 設(shè)置為Manual，將Exp. Nominal Power設(shè)置為-3dBm。Margin設(shè)置為12 dB。
4. 按Multi Evaluation 設(shè)置Measurement Subframes,將Measure Subframe 設(shè)置為2：

1. 將Scheduling Type切換到User define.TTI Based模式，進(jìn)入LTE Tx.meas→Multi Evaluation→Assign View選擇Dynamics，在此界面下讀取OFF Power和ON Power。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.3.4.1.5-1: General ON/OFF time mask

3.7、PRACH時(shí)間模板（6.3.4.2.1）

測(cè)試步驟：

1. 點(diǎn)擊LTE Signaling，點(diǎn)擊Config，進(jìn)入Physical Cell Setup，選擇PRACH。設(shè)置Power Ramping Setup為0dB

1. 將No Response to Preambles設(shè)置為ON，這樣UE會(huì)反復(fù)的進(jìn)行隨機(jī)接入。會(huì)連續(xù)測(cè)試多次。
2. 如果不支持Advance PRACH/OL Power Setting，根據(jù)下表設(shè)置PUSCH Open Loop Nominal。

（LTE Signaling→Config→Uplink Power Control→PUSCH Open Loop Nomian

對(duì)于Advanced OL Power設(shè)置，配置Preamble Initial Received Target Power達(dá)到如下表所示的PRACH目標(biāo)功率

1. 將RS EPRE 設(shè)置為–85 dBm/15 KHz。
2. 將LTE PRACH Measurement Task 添加到CMW500 的任務(wù)欄中(按“Measure” 軟鍵選擇)并且按config選擇scenario為Combined Signal Path, controlled by LTE Sig1. 默認(rèn)觸發(fā)方式為L(zhǎng)TE Sig1: PRACH Trigger。
3. 按ON/OFF按鈕啟動(dòng)PRACH 測(cè)量。
4. 按connect 軟鍵連接終端，等待Power Dynamics測(cè)量完成。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.3.4.2.1.5-1: PRACH time mask

3.8、SRS時(shí)間模板（6.3.4.2.2）

測(cè)試步驟：

1. LTE Signaling →Config → Physical Cell Setup。

1. 點(diǎn)擊LTE Signaling，選擇Config，進(jìn)入U(xiǎn)plink Power Control，設(shè)置Active TPC Setup為Constant Power。
2. 如果不支持Advance PRACH/OL Power Setting，Open Loop Nominal 根據(jù)下表進(jìn)行設(shè)置。

支持Advance PRACH/OL Power Setting，Open Loop Nominal為默認(rèn)值。

1. 將RS EPRE 設(shè)置為–85 dBm/15 KHz。
2. 將LTE SRS Measurement Task 添加到CMW500 的任務(wù)欄中(按“Measure” 軟件選擇)并且按config選擇scenario為Combined Signal Path, controlled by LTE Sig1. 默認(rèn)觸發(fā)方式為IF Power觸發(fā)。
3. 打開小區(qū)，讓終端同CMW500 建立RMC 連接。
4. 激活Downlink MAC Padding at LTE Signaling→Connection, 然后將UL RMC 設(shè)置為0。

1. 按ON/OFF 按鍵激活SRS 測(cè)量。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.3.4.2.2.5-1: SRS time mask

3.9、功率控制容限(6.3.5.1)

測(cè)試步驟：

1） 設(shè)置功率控制模式，在LTE Signaling界面下點(diǎn)擊Config按鈕，在Uplink Power Control下選擇TX Power Control（TPC），Active TPC Setup選擇為Constant Power模式。將Open Loop Nominal Power設(shè)為Point1對(duì)應(yīng)的功率值。

    2）點(diǎn)擊LTE Signaling，選擇Config，進(jìn)入Connection界面下激活Keep RRC Connection，使能RRC空閑模式。

    3）注冊(cè)連接，點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

    4）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM。

    5）讀取Test Point1 對(duì)應(yīng)的Tx Power

6）斷開連接，將Open Loop Nominal Power設(shè)為Point2 對(duì)應(yīng)的功率值。

    7）重復(fù)步驟1）-5）讀取Test Point 2 對(duì)應(yīng)的Tx Power。

    8）如果不支持Advance PRACH/OL Power Setting，Test Point值根據(jù)下表進(jìn)行設(shè)置

    支持Advance PRACH/OL Power Setting，PO Nominal PUSCH根據(jù)下表進(jìn)行設(shè)置

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.3.5.1.5-1: Absolute power tolerance: test point 1

Table 6.3.5.1.5-2: Absolute power tolerance: test point 2

3.10、相對(duì)功率控制容限（6.3.5.2）

終端的功率變化可以由功率控制或者RB 變化引起，基于這個(gè)原因本測(cè)試設(shè)計(jì)了三種測(cè)試場(chǎng)景來驗(yàn)證LTE終端的相對(duì)功率變化情況：

功率上升測(cè)試(TS 36.521-1, 圖6.3.5.2.4.2-1)

功率降低測(cè)試(TS 36.521-1, 圖6.3.5.2.4.2-2)

功率交替變化測(cè)試(TS 36.521-1, 圖6.3.5.2.4.2-5).

根據(jù)RB 變化的不同時(shí)間點(diǎn)，功率上升測(cè)試和功率下降測(cè)試又各自定義了三種模式，分別為模式A，模式B，模式C。

測(cè)試步驟：

1. 功率上升測(cè)試

1. 注冊(cè)、連接。進(jìn)入Multi Evaluation界面，勾選Power Monitor。
2. 功控測(cè)量是一個(gè)瞬間的過程，功控不能不處于連續(xù)測(cè)試的模式下，將Repetition設(shè)置為Single Slot。Statistic Count（Power）設(shè)置為1 Subframes。對(duì)于FDD，將Subframes Offset設(shè)置為0，No. of Subframes to 80。對(duì)于TDD，將Subframes Offset設(shè)置為0，No. of Subframes to 100，Measure Subframe為2。
3. 進(jìn)入Trigger→Trigger Source設(shè)置觸發(fā)方式為TPC觸發(fā)（LTE Sig1:TPC trigger）。
4. 設(shè)置上行RMC：將RB設(shè)置為1, 調(diào)制方式設(shè)置為QPSK, 將Active TPC Setup 設(shè)置為Closed Loop，將Closed- Loop Target Power設(shè)置為–36.8 dBm ,確保終端的實(shí)際輸出功率在–36.8 dBm±- 3.2 dB 范圍內(nèi)。
5. 將Expected Nom. Power 設(shè)置為–18 dBm ,并且將User Margin 設(shè)置為0 dB。
6. 按ON/OFF 按鈕初始化測(cè)量，此時(shí)測(cè)量模塊會(huì)等待TPC 消息來觸發(fā)測(cè)量，將Active TPC Setup 設(shè)置為User-Defined Single Pattern，并且將Length 設(shè)置為10 (FDD) / 4 (TDD) ,TPC的值都設(shè)置為+1。然后按execute 按鍵下發(fā)TPC 命令。

1. 對(duì)于TDD,重復(fù)步驟2 和3 (更改Expected Nom. Power)得到測(cè)量結(jié)果。
2. 在連接界面, 將Scheduling Type 從RMC 修改為User Defined, TTI Based,然后按Edit All 來修改UL→ TTI 設(shè)置（以20M為例，其余帶寬參照表6.3.5.2-1）

Table 6.3.5.2-1

1. 將Expected Nom. Power 設(shè)置為8 dBm. (該值同RB 的變化有關(guān)系).計(jì)算公式為:上次Expected Power +10logRB +6 (User Margin = 0 dB)。對(duì)于FDD, 測(cè)量Subframe 應(yīng)該設(shè)置為4 保證測(cè)量觸發(fā)。按ON/OFF 初始化測(cè)量。
2. 對(duì)于FDD 終端，將Active TPC Setup 設(shè)置為User-Defined Single Pattern ,TPC長(zhǎng)度設(shè)置為6，TPC命令為“+1”。然后按Execute 獲取測(cè)量結(jié)果(模式A,包括RB 變化,FDD: 第二段中10個(gè)TTIs的前6個(gè)測(cè)量結(jié)果; TDD: 第三幀)
3. 從連接界面，將Scheduling Type 從User Defined, TTI Based 更改為RMC ，并且將上行RMC 的RB 設(shè)置為75.（以20M為例，其余帶寬參照表6.3.5.2-1）
4. 將Expected Nom. Power 設(shè)置為25 dBm ,User Margin 設(shè)置為0 dB。
5. 按ON/OFF 按鈕初始化測(cè)量。
6. 將TPC length 設(shè)置為14 (FDD) / 4 (TDD) ,所有的TPC 命令設(shè)置為+1，然后按execute獲得測(cè)量曲線(FDD: 模式A, 第二個(gè)10 TTIs 中剩余的部分和第三個(gè)10 TTIs) 。
7. 將Expected Nom. Power 設(shè)置為30 dBm ,User Margin 設(shè)置為0dB。
8. 按ON/OFF 按鈕初始化測(cè)量。
9. 將TPC Length 設(shè)置為10 TPC 命令都設(shè)置為+1，然后按Execute 得到測(cè)量曲線(模式A, 后10個(gè)TTIs)。

注:對(duì)于TDD，重復(fù)步驟12 – 14 七次可以完成余下的測(cè)量。

模式B和模式C的測(cè)量方法相同，只是RB變化的時(shí)間不同，模式A 是在10 TTIs之后變化,模式B是在20 TTIs之后變化，模式C 是在30 TTIs 之后變化。

1. 功率下降測(cè)試(模式A):

1. 設(shè)置上行RMC: # RB = 100（以20M為例，其余帶寬參照表6.3.5.2-2），Modulation = QPSK, Active TPC Setup =Closed Loop, 并且Closed-Loop Target Power = 18 dBm，確保終端輸出功率在18.0dBm±3.2 dB范圍內(nèi)。

Table 6.3.5.2-2

1. 將Active TPC Setup 設(shè)置為User-Defined Single Pattern, 并且將Length 設(shè)置為10 (for FDD)or 4 (for TDD) ，所有的TPC 命令為–1。
2. 將Expected Nom. Power 設(shè)置為25 dBm，User Margin 設(shè)置為0 dB.
3. 對(duì)于TDD, 按ON/OFF 鍵初始化測(cè)量，然后按Execute 得到初次測(cè)量結(jié)果，調(diào)整expected power 繼續(xù)下一次測(cè)量。

1. 從連接界面將Scheduling Type 從RMC 修改為User- defined, TTI Based，然后按Edit All（以20M為例，其余帶寬參照表6.3.5.2-2）

1. 按ON/OFF 鍵初始化測(cè)量，然后按Signaling Parameters→TPC→ Execute 獲得測(cè)量結(jié)果曲線(Pattern A, FDD: * 個(gè)TTIs,包括RB 變化,TDD: 第二幀,包括RB 變化)
2. 從連接界面，將Scheduling Type 從User Defined, TTI Based 修改為RMC,并且將Uplink RB設(shè)置為1。
3. 將Expected Nom. Power 設(shè)置為–5 dBm,該參數(shù)的推薦值為上次測(cè)量后一個(gè)子幀的結(jié)果，并且將User Margin 設(shè)置為10dB。
4. 按ON/OFF鍵初始化測(cè)量。
5. 執(zhí)行TPC 命令獲取測(cè)量結(jié)果(模式A,第二次10個(gè)TTIs)。
6. 重復(fù)步驟8–10,注意調(diào)整Expected Nom. Power值。

經(jīng)過上述步驟，功率降低測(cè)試(模式A)就已經(jīng)完成了。模式B和模式C的測(cè)量方法幾乎一致，只是RB變化的位置不同，模式A 是在6個(gè)TTI之后，模式B是在16個(gè)TTI之后，模式C是在26個(gè)TTI 之后。

3、功率交替變化測(cè)試測(cè)試步驟：

1. 將TPC 觸發(fā)修改為L(zhǎng)TE Sig1:Frame trigger,如下設(shè)置上行RMC: #RB = 1, Modulation =QPSK, Active TPC Setup = Closed Loop, Closed-Loop Target Power = –10 dBm 保證終端輸出功率在–10 dBm ± 3.2 dB范圍內(nèi)。

1. 在連接界面將Scheduling Type從RMC修改為User Defined.TTI Based,然后按Edit All 配置上行TTI以20M為例，其余帶寬參照表6.3.5.2-2）

1. 將Active TPC Pattern 設(shè)置為Constant Power。
2. 將No. of Subframes設(shè)置為40，Measure Subframe為0。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：參照協(xié)議6.3.5.2.5

3.11、總計(jì)（集合）功率容限(6.3.5.3)

測(cè)試步驟：

    PUCCH

1. 將Scheduling Type設(shè)置為User Defined，TTI Based。將上下所有子幀的RB數(shù)量設(shè)置為0，并且參照下圖設(shè)置下行信道（以20M帶寬為例，其他帶寬按照6.3.5.3.4.1-1修改RB數(shù)目）

FDD下行信道設(shè)置

TDD下行信道設(shè)置

1. 回到RMC，參照Table6.3.5.3.4.1-1設(shè)置下行RB數(shù)目、Modulation注冊(cè)連接

Table 6.3.5.3.4.1-1: Test Configuration Table: PUCCH sub-test

1. 設(shè)置RF Reference power（Expect Power + Margin）為15dBm。
2. 將Active TPC Setup設(shè)置為Close Loop，并且將Closed-Loop Target Power設(shè)置為0dBm，確保終端的發(fā)射功率為0±3.2dB。
3. 進(jìn)入TASKS→LTE Tx meas→Multi Evaluation→Config→Measurement Control。設(shè)置Channel Type為Auto，PUCCH Format為Format 1a。
4. 進(jìn)入Multi Evaluation→Assign View界面下勾選Monitor。在Power Monitor界面，設(shè)置Multi Evaluation→ Measurement Subframes→No.of Subframes為21。對(duì)于TDD，Measure Subframes設(shè)置為3，并且No.of Subframes為25。
5.  Multi Evaluation為ON，進(jìn)入Signaling→Parameter→Connection Setup，將Scheduling Type切換到User Defined，TTI Based模式，讀取功率變換波形。

PUSCH

1. 將Scheduling Type 設(shè)置為User Defined, TTI Based，將下行所有子幀的RB數(shù)量設(shè)置為0，并且參照下圖設(shè)置上行信道（以20M帶寬為例，其他帶寬按照6.3.5.3.4.1-2修改RB數(shù)目）

FDD模式上行信道設(shè)置

TDD模式上行信道設(shè)置

1. 回到RMC，參照Table6.3.5.3.4.1-2設(shè)置下行RB數(shù)目、Modulation注冊(cè)連接

Table 6.3.5.3.4.1-2: Test Configuration Table: PUSCH sub-test

1. 將Active TPC Setup設(shè)置為Closed Loop，并且將Closed-Loop Target Power (PUSCH)設(shè)置為0dBm確保終端的發(fā)射功率在0±3.2dB范圍之內(nèi)然后將Active TPC Setup設(shè)置為Constant。
2. 進(jìn)入Multi Evaluation→Assign View界面下勾選Monitor。在Power Monitor界面，設(shè)置Multi Evaluation→ Measurement Subframes→No.of Subframes為21。對(duì)于TDD，Measure Subframes設(shè)置為3，并且No.of Subframes為25。
3. Multi Evaluation為ON，進(jìn)入Signaling→Parameter→Connection Setup，將Scheduling Type切換到User Defined，TTI Based模式，讀取5個(gè)PUSCH發(fā)射功率的測(cè)試結(jié)果。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.3.5.3.5-1: Power control tolerance

3.12、頻率誤差（6.5.1）

測(cè)試步驟：

1. 點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。
2. 點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM

3）調(diào)整RS EPRE，按照Table 7.3.5-1將Full Cell Power設(shè)為參考靈敏度

4）Signaling Parameter→TPC將Active TPC Setup設(shè)置為max Power。

5）讀取不同配置下的Freq Error值。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：|Δf|  ≤ (0.1 PPM + 15 Hz)

3.13、矢量幅度誤差EVM（6.5.2.1）

測(cè)試步驟：

    PUSCH EVM

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM

3）點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup設(shè)置為Max Power，在不同配置下讀取EVM值。

4）將Active TPC Setup設(shè)置為Close Loop，close loop Target power 設(shè)置為-36.8，在不同配置下讀取EVM。

PUCCH EVM

1. 按LTE Signal，將Uplink RB設(shè)為0，按協(xié)議要求設(shè)置Downlink RB。
2. 點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM
3. 在EVM測(cè)試界面，點(diǎn)擊Config…，將Measurement Control下的Channel Type設(shè)為Auto，PUCCH Format設(shè)為1a。
4. 進(jìn)入EVM測(cè)試界面，Signaling Parameter→TPC將Active TPC Setup設(shè)置為Close Loop，close loop Target Power設(shè)置為Pumax(23dBm)讀取不同配置下的EVM值。

PRACH EVM

1. 測(cè)試步驟參考“PRACH時(shí)間模板”

注：PRACH是在沒有注冊(cè)的情況下設(shè)置參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)束后會(huì)注冊(cè)連接，測(cè)試Test Point1后要斷開連接，在進(jìn)行Test Point2 。

    2）根據(jù)測(cè)量規(guī)范，需要兩個(gè)preamble來完成這項(xiàng)測(cè)試。因此，No Response to Preambles 應(yīng)該需要勾選上直到測(cè)試完成。

3)PRACH期望功率值和PUSCH

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

對(duì)于QPSK和BPSK兩種調(diào)制方式，PUSCH的EVM和EVM DMRS不應(yīng)超過17.5 %，對(duì)于16QAM調(diào)制方式，PUSCH的EVM不應(yīng)超過12.5 %。

PUCCH信道的EVM不應(yīng)超過17.5 %，PRACH信道的EVM不應(yīng)超過17.5 %。

3.14、PUSCH 跳變周期EVM（6.5.2.1A）

測(cè)試步驟：

1. 在上行RMC中將RB設(shè)置為12，不選擇Downlink Mac Padding(LTE Signaling→Connection)，這樣CMW500 不會(huì)發(fā)送任何空白數(shù)據(jù)。
2. 將PUSCH Closed-Loop Power設(shè)置為0dBm。
3. 將Active TPC Setup 設(shè)置為Constant Power。
4. 將Reference Power 設(shè)置為Manual，Expected Nom.Power設(shè)置為0dBm，Margin 設(shè)置為12dB。
5. 點(diǎn)擊Signaling Parameter→Connection Setup界面，選擇Scheduling Type為User Defined TTI Mode，設(shè)置上行RB數(shù)目，對(duì)于TDD，上行RB設(shè)置與FDD相同。

1. 為了按照規(guī)范獲取到測(cè)量結(jié)果, 需要按照子幀時(shí)序來設(shè)置跳變時(shí)間:

a. Subframe = 2, Leading = 25Hs, Lagging = 25Hs

b. Subframe = 3, Leading = 25Hs, Lagging = 5Hs

c. Subframe = 7, Leading = 25Hs, Lagging = 25Hs

d. Subframe = 8, Leading = 25Hs, Lagging = 5Hs

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

PUSCH EVM：QPSK、BPSK小于17.5%，16QAM小于12.5%

PUCCH、PRACH EVM：小于17.5%。

3.15、載波泄露（6.5.2.2）

測(cè)試步驟：

1. 點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。
2. 點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign Views，選擇EVM。
3. 點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup 設(shè)置為closed loop，close loop target power設(shè)置為協(xié)議測(cè)試值3.2dBm。
4. 按照協(xié)議配置RB及調(diào)制方式，讀取IQ office 測(cè)量結(jié)果。
5. 修改close loop target power為-26.8dBm和-36.8dBm。重復(fù)步驟4），讀取IQ office 測(cè)量結(jié)果。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.5.2.2.5-1: Test requirements for Relative Carrier Leakage Power

3.16、非分配RB的帶內(nèi)雜散（6.5.2.3）

測(cè)試步驟：

    PUSCH

1. 點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。
2. 點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign，選擇Inband Emission。
3. 點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup 設(shè)置為closed loop，close loop target power設(shè)置為協(xié)議測(cè)試值3.2dBm。
4. 按照協(xié)議配置RB及調(diào)制方式，觀察波形是否PASS。
5. 修改close loop target power為-26.8dBm和-36.8dBm。重復(fù)步驟4），觀察波形是否PASS。

PUCCH

1. 點(diǎn)擊LTE Signal，設(shè)置Uplink RB為0，按協(xié)議要求設(shè)置Downlink RB。
2. 點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。
3. 點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup 設(shè)置為closed loop，close loop target power設(shè)置為協(xié)議測(cè)試值3.2dBm。
4. 點(diǎn)擊Config…，將Measurement Control下的Channel Type設(shè)為Auto，PUCCH Format設(shè)為1a。
5. 點(diǎn)擊Assign，選擇Inband Emission，點(diǎn)擊ON開始測(cè)試。觀察波形是否ok。
6. 修改close loop target power為-26.8dBm和-36.8dBm。重復(fù)步驟5），觀察波形是否PASS。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.5.2.3.5-1: Test requirements for in-band emissions

3.17、EVM均衡器頻譜平坦度（6.5.2.4）

測(cè)試步驟：

1. 點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。
2. 點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign，選擇Equalizer Spectrum Flatness。
3. 點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup設(shè)置為max power，按協(xié)議配置，讀取Ripple1或Ripple2的值。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.5.2.4.5-1:        Test requirements for EVM equalizer spectrum flatness (normal conditions)

Table 6.5.2.4.5-2: Test requirements for spectrum flatness (extreme conditions)

3.18、占用帶寬（6.6.1）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign，選擇Spectrum Emission Masks。

3）點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup 設(shè)置為max power，按協(xié)議配置，讀取OBW

測(cè)試步驟：

3.19、頻譜模板（6.6.2.1）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Assign，選擇Spectrum Emission Masks。

3）點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup設(shè)置為Max.Power，按協(xié)議進(jìn)行配置

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.6.2.1.5-1: General E-UTRA spectrum emission mask, E?UTRA bands ≤ 3GHz

Table 6.6.2.1.5-2: General E-UTRA spectrum emission mask, 3GHz < E?UTRA bands ≤ 4.2GHz

3.20、額外的頻譜模板（6.6.2.2）

測(cè)試步驟：

    與頻譜模板相同，進(jìn)入LTE Signaling→Config→Connection→Additional Spectrum Emission修改NS值。

3.21、ACLR臨道泄露比（6.6.2.3）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊Multi Evaluation，點(diǎn)擊Select View選擇Spectrum ACLR。

3）點(diǎn)擊Signaling Parameter→TPC，將Active TPC Setup設(shè)置為Max.Power，按協(xié)議進(jìn)行配置

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

Table 6.6.2.3.5.1-1: E-UTRA UE ACLR

Table 6.6.2.3.5.2-1: UTRA UE ACLR

四、接收機(jī)測(cè)試

4.1、接收機(jī)小靈敏度

測(cè)試步驟：

（1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE Ext.BLER進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊LTE 1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

3）點(diǎn)擊LTE Single→Config→Uplink Power Control→Tx Power Control（TPC）選擇Active TPC Setup為max power，在大功率下進(jìn)行測(cè)試。

4）進(jìn)入Config→Connection→Additional Spectrum Emission，根據(jù)測(cè)試頻段選擇對(duì)應(yīng)的NS值。

Table 7.3.3-3: Network Signalling Value for reference sensitivity

    5）點(diǎn)擊Tasks→LTE Ext BLER Display→Table View Diagram View進(jìn)行測(cè)試界面切換，修改屏幕下方的Subframe..進(jìn)行子幀個(gè)數(shù)的修改。

    4）調(diào)節(jié)RS EPRE來設(shè)置Full Cell BW Power為基準(zhǔn)靈敏度，按ON/OFF鍵刷新界面，判斷BLER是否小于5%，Throughput是否大于95%。

    5）降低RS EPRE直到BLER大于5%，Throughput 小于95%，然后增加RS EPRE 到BLER再次小于5%，記錄此時(shí)的Full Cell Power 為UE的小靈敏度。

    6）改變Uplink RB重復(fù)步驟4）-5），記錄不同RB下的UE小靈敏度。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

在要求靈敏度下，誤碼率不大于5%，下表即為不同頻段對(duì)應(yīng)的靈敏度要求。

Table 7.3.5-1: Reference sensitivity QPSK PREFSENS

4.2、大輸入電平（7.4）

測(cè)試步驟：

1）點(diǎn)擊Measure，選擇LTE Ext.BLER進(jìn)入測(cè)試界面。

2）點(diǎn)擊LTE 1 Multi Eval進(jìn)入測(cè)試界面。

3）選擇RS EPRE小區(qū)強(qiáng)度為-53.5dBm/15kHz，此時(shí)實(shí)際小區(qū)功率為對(duì)應(yīng)Full Cell BW Pow.為-25.7dBm，選擇下行/下行50RB，QPSK調(diào)制方式進(jìn)行。

4）點(diǎn)擊ON進(jìn)行測(cè)試，觀察BLER值是否小于5%，Throughput是否大于95%。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：

在小區(qū)功率為-25.7dBm時(shí)，誤碼率不大于5%。