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方塊電阻測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)..

來(lái)源:山東鴻得實(shí)業(yè)有限公司   2021年07月20日 09:53  
本設(shè)備采用四探針?lè)▽S糜诮饘俦∧し綁K電阻,HAD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制,運(yùn)用了*半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù),無(wú)需特別制
樣,可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo):方塊電阻測(cè)量范圍(3 位有效數(shù)字):0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設(shè)備包含:
HD-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)
HD-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架 一臺(tái)
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個(gè)
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購(gòu)件:
微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套
本設(shè)備采用四探針?lè)▽S糜诮饘俦∧し綁K電阻,HD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制,運(yùn)用了*半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù),無(wú)需特別制
樣,可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo):方塊電阻測(cè)量范圍(3 位有效數(shù)字):0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設(shè)備包含:
HD-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)
HD-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架 一臺(tái)
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個(gè)
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購(gòu)件:
微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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