方塊電阻測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)..
本設(shè)備采用四探針?lè)▽S糜诮饘俦∧し綁K電阻,HAD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制,運(yùn)用了*半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù),無(wú)需特別制
樣,可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo):方塊電阻測(cè)量范圍(3 位有效數(shù)字):0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設(shè)備包含:
HD-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)
HD-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架 一臺(tái)
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個(gè)
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購(gòu)件:
微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套
本設(shè)備采用四探針?lè)▽S糜诮饘俦∧し綁K電阻,HD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制,運(yùn)用了*半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù),無(wú)需特別制
樣,可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo):方塊電阻測(cè)量范圍(3 位有效數(shù)字):0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設(shè)備包含:
HD-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)
HD-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架 一臺(tái)
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個(gè)
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購(gòu)件:
微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來(lái)源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。