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熱化學氣相沉積-熱CVD技術
化學氣相沉積（CVD）技術是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術。在典型的CVD工藝過程中，把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下發(fā)生化學反應并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點，被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。北方華創(chuàng)微電子憑借十余年的微電子領域工藝設備開發(fā)經(jīng)驗，先后完成了PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等設備的開發(fā)，致力于為集成電路、半導體照明、微機電系統(tǒng)、功率半導體、化合物半導體、新能源光伏等領域提供各種類型的CVD設備，滿足客戶多種制造工藝需求。
熱CVD設備型號：HCVD400-40 / 工作溫度：800℃
套裝內(nèi)容：管式爐、控制器、石英爐芯管、法蘭、支架、龍門架
* 討論了龍門架的形狀和尺寸、燃氣類型、流量計、燃氣管道、閥門部件。
| 主要規(guī)格 | |
| 加熱部分 | 爐體外形：260×400L/爐內(nèi)尺寸：φ80×350L 加熱器容量：1480W 常溫：1050℃ |
| 溫度控制單元 | 觸摸面板式程序溫度控制器 程序：10 模式/9 步，電源 100V15A 型號：HK10P-115K，電源 100V/15A * ELB，過熱防止，冷卻風扇，帶 ON/OFF 開關 |
| 氣氛 | 芯管：透明石英管（GE214）Φ36×φ40×700L *本裝置芯管內(nèi)徑為φ36mm，購買前請查看樣品尺寸。 法蘭：φ40用火芯管連接法蘭（材質(zhì)：主體/SUS304、O型圈/Biton） 氣體導入管連接直徑：1/4英寸（Φ6.35）咬合 |
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