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與單角度動態(tài)光散射技術(shù)相比，多角度動態(tài)光散射（MADLS）顆粒測量技術(shù)能夠提高顆粒粒度分布的測量準確性。但在MADLS技術(shù)中，測量角度的選擇常常與被測顆粒體系的分布有關(guān)。對100nm、500nm的單峰模擬分布和300 nm與600nm混合的雙峰模擬分布的顆粒體系，分別在1、3、６、９個散射角條件下進行了測量。顆粒粒度反演結(jié)果表明，隨著散射角個數(shù)的增大，顆粒粒度分布更趨于真實的顆粒粒度分布。對數(shù)量比為5:1的100nm 與503nm雙峰分布的聚苯乙烯顆粒，分別在１、３、５、１０個散射角條件下進行了測量，實測結(jié)果表明采用單角度測量只能得到單峰分布，３個及更多散射角可得到雙峰分布，并且雙峰的數(shù)量比隨散射角數(shù)量的增加逐漸趨近真實的數(shù)量比。因此，MADLS顆粒測量技術(shù)能夠改善顆粒粒度分布的測量結(jié)果，但這種改善程度會隨散射角的增多逐漸降低。由于散射角個數(shù)的增多會增加散射角的校準噪聲和光強相關(guān)函數(shù)的測量噪聲，因而會導致在有些情況下顆粒粒度分布的測量結(jié)果反而變差。
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