元器件高空低氣壓模擬試驗(yàn)方法低氣壓試驗(yàn)箱：

預(yù)處理。

試驗(yàn)樣品按要求放入高低溫低氣壓試驗(yàn)箱(未包裝，是/否通電等)，按標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定好溫度，溫度變化速率應(yīng)不超過 1K/min，試驗(yàn)樣品應(yīng)保持溫度穩(wěn)定。按相關(guān)規(guī)范進(jìn)行功能試驗(yàn)，按規(guī)定或相關(guān)規(guī)范要求進(jìn)行中間檢測(cè)。

按標(biāo)準(zhǔn)維持溫度的規(guī)定值，氣壓按試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)降至要求值，氣壓的變化速率不應(yīng)超過 15kPa/min。溫度和氣壓保持相應(yīng)的時(shí)間。

水蒸氣以能在試驗(yàn)樣品表面形成霧的形式通入試驗(yàn)箱。然后，在低氣壓穩(wěn)定的條件下使溫度達(dá)到實(shí)驗(yàn)室的溫度。

當(dāng)溫度升到 0℃～5℃ 之間時(shí)，低氣壓應(yīng)以不超過 15kPa/min 的速率上升到正常值。氣壓升高期間，不應(yīng)控制溫度。溫度/濕度保持在規(guī)定值，保持規(guī)定的時(shí)間，而后按條件恢復(fù)。

試驗(yàn)?zāi)康? 常見 低氣壓試驗(yàn) 的試驗(yàn)?zāi)康耐ǔＳ?種:確定產(chǎn)品在常溫條件下能否耐受低氣壓環(huán)境，在低氣壓環(huán)境下正常工作，以及耐受空氣壓力快速變化的能力。1)2)確定常溫條件下元件和材料在低氣壓下耐電擊穿的能力，確定密封元件耐受氣壓差不被破壞的能力，確定低氣壓對(duì)元件工作特性的影響，3)確定元器件和材料在氣壓減小時(shí)，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度減弱抗電擊穿失效的能力

參考標(biāo)準(zhǔn)

1)GJB 150.2A-2009《裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第二部分低氣壓( 高度) 試驗(yàn)》;

2)GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》(等效美軍標(biāo)M L-STD-202F)

3)GJB 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓(高空作業(yè)) 》標(biāo)M L-STD-883D)

4) G B2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;

5) G B/T 2423，21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》:

6) G B/T2423，25 2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境過驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法

7)G B/T 2423、262008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》

8) G B2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM D 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》

9) G B/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。

3、試驗(yàn)條件:

1) 試驗(yàn)氣壓GJB 548共列出了A、B、C、D、、F、G7個(gè)不條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗(yàn)條件有-定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低高，氣壓值由大變小;GJIB 360給出了A、B、C、D、上、下、G、H、、J10不同條性下的高度氣值，并且所列的高度-與壓表中的過驗(yàn)條件由A到驗(yàn)條件有一定的現(xiàn)律性，隨著飛行高度由器高，氣壓值由大變小，而由過驗(yàn)條件F到過驗(yàn)條件沒有呈現(xiàn)規(guī)律性，與GJB 548所列的試驗(yàn)條件對(duì)比，B 360試驗(yàn)條件增加了條件H到試驗(yàn)條件)，對(duì)應(yīng)的氣壓高度條件分別為: H: 3 000m 70kPa; J: 18 000m，7、6kPa; K: 25 000m, 2、5 kPa。

2) 試驗(yàn)時(shí)間

GJB 360B-2009規(guī)定若無其他規(guī)定，試驗(yàn)樣品在低氣壓條件下的試驗(yàn)時(shí)間，可從下列數(shù)值中選取5min、30min、1h、2h、4h和16h.