陰極發(fā)光設(shè)備（SEM-CL）在光束敏感光電材料（雜化鹵化物鈣鈦礦）方面的應(yīng)用

       鹵化物鈣鈦礦已成為下一代光電應(yīng)用(如太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管)的特殊候選者。鈣鈦礦薄膜在微觀和納米尺度上具有非均質(zhì)性。對(duì)納米尺度的理解是開(kāi)發(fā)和改進(jìn)這些新型材料的基礎(chǔ)。CL允許在高空間分辨率下探測(cè)材料的特性。然而，這些軟半導(dǎo)體對(duì)電子束損傷非常敏感，這主要阻礙了CL的使用。

       利用脈沖模式掃描電子顯微鏡陰極發(fā)光技術(shù)(PM SEM-CL)對(duì)雜化鈣鈦礦薄膜的研究是有用的。這些發(fā)現(xiàn)是由Attolight Allalin設(shè)置實(shí)現(xiàn)的。由于電子束的低劑量脈沖特性，通過(guò)獲取CL高光譜圖，可以在納米尺度上對(duì)雜化鈣鈦礦薄膜的發(fā)射特性的非均質(zhì)性進(jìn)行成像。這些優(yōu)化的參數(shù)還可以獲得多晶薄膜的時(shí)間分辨CL，與光致發(fā)光類似物相比，顯示出明顯更短的載流子動(dòng)力學(xué)，這表明電子束與樣品的相互作用歸因于光束損傷。

        這些發(fā)現(xiàn)代表了開(kāi)啟CL高光譜測(cè)繪和TRCL在更光束敏感的混合鈣鈦礦成分上的應(yīng)用的有希望的一步。此外，我們預(yù)計(jì)低劑量下的CL將在解決其他有機(jī)和光束敏感半導(dǎo)體的復(fù)雜納米尺度方面發(fā)揮重要作用。

圖：空間分辨CL圖對(duì)降低光束電流顯出更強(qiáng)大發(fā)射。CW（連續(xù)波）和 PM（脈沖模式）電子束采集