利用腔衰蕩系統(tǒng)探測(cè)C2H2在1520nm處的吸收峰 - 筱曉光子AOL實(shí)驗(yàn)室⑧
在上一期,我們成功測(cè)量了10ppm的CH4氣體在1653.7nm的吸收峰,但是用空腔衰蕩時(shí)間5.864us,計(jì)算得到1550nm的高反鏡在1653.7nm只有99.97%的反射率,不足以體現(xiàn)這個(gè)系統(tǒng)的性能。所以,我們更換了一個(gè)1520nm的C2H2吸收峰去探測(cè)。下圖為探測(cè)C2H2衰蕩信號(hào)時(shí)的實(shí)拍圖。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和上期測(cè)CH4氣體相同,只是更換了1550nm的AOM,同時(shí)嘗試用自制的激光器驅(qū)動(dòng)替代Thorlabs的ITC4005驅(qū)動(dòng)。
首先,我們?cè)贖ITRAN數(shù)據(jù)庫(kù)中比對(duì)C2H2和H2O的吸收峰,尋找一個(gè)幾乎不受水峰干擾乙炔吸收峰。盡管水峰在這個(gè)波長(zhǎng)范圍的吸收系數(shù)比乙炔少了好幾個(gè)數(shù)量級(jí),但是在腔衰蕩系統(tǒng)中都測(cè)到了很強(qiáng)的吸收峰,困擾了我們很多天,最后才排查出是水峰的影響。最后,選擇了6578.56 cm-1(1520nm)作為測(cè)試點(diǎn),這也是局限于我們的DFB激光器的波長(zhǎng)調(diào)諧范圍,無(wú)法調(diào)到左邊那個(gè)更好的吸收峰。
同時(shí)對(duì)上一期的腔衰蕩系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖做出更正: 腔兩端的兩個(gè)通氣口是用于氣體進(jìn)出,中間的端口是用于連接溫度傳感器或壓力傳感器的,而非排氣口,更正完的示意圖如下。
通入足量C2H2后,我們先TDLAS的方法確定了該吸收峰的大致位置,此時(shí)激光器的溫度調(diào)節(jié)為36.5℃,電流掃描范圍為36mA~48mA。然后以1mA為測(cè)量間隔,分別測(cè)量該電流區(qū)間內(nèi)的腔衰蕩時(shí)間,得到吸收曲線如下圖所示,吸收點(diǎn)的衰蕩時(shí)間為9.8us。
開腔靜置兩天后,在吸收點(diǎn)的位置再測(cè)一次衰蕩時(shí)間,得到的結(jié)果為27.78us,計(jì)算得到腔鏡反射率為99.994%,如下:
產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | 產(chǎn)品鏈接 |
模塊式激光控制器 (0~225mA 電壓 2.5V@80mA) | http://www.microphotons。。cn/?a=cpinfo&id=523 | |
1520nm DFB Laser diode for C2H2 Sensing | http://www.ld-pd。。com/?a=cp3&id=327 | |
1550/1650nm 單模/保偏光纖聲光調(diào)制器 | http://www.microphotons。。cn/?a=cp3&id=217 | |
超光滑超高反射率(>99.99%) 反射鏡 1550nm(可定制) | http://www.microphotons。。cn/?a=cpinfo&id=1905 | |
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz) | http://www.microphotons。。cn/?a=cpinfo&id=2169 | |
可調(diào)焦非球面光纖準(zhǔn)直器 (焦距4.5/7.5/11mm) | http://www.microphotons。。cn/?a=cpinfo&id=2328 |
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