電子元器件恒溫試驗方法高低溫恒溫恒濕試驗箱:
工作原理:
電子器件在變溫變濕的條件下,除了濕氣和雜質會從封裝缺陷處侵入器件外,還由于濕度的變化會在熱膨脹不匹配處出現(xiàn)新的缺陷,而讓濕氣及雜質進一步侵入器件, 導致電性退化和結構缺陷產生。本試驗主要考核在變溫變濕條件下,器件防止?jié)駳饧半s質侵入芯片損壞器件的能力。
試驗規(guī)定
要嚴格按照試驗儀器“技術說明書”操作順序操作。
常規(guī)產品規(guī)定每季度做一次周期試驗,試驗條件及判據采用或等效采用產品標準;新產品、新工藝、用戶特殊要求產品等按計劃進行。
采用LTPD的抽樣方法,在第一次試驗不合格時,可采用追加樣品抽樣方法或采用篩選方法重新抽樣,但無論何種方法只能重新抽樣或追加一次。
若LTPD=10%,則抽22只,0收1退,追加抽樣為38只,1收2退。抽樣必須在OQC檢驗合格成品中抽取。
操作規(guī)范:
1)打開電源開關
2)根據試驗要求設定程序運行的狀態(tài)
MODEL1:STEP1: 25℃4h STEP2: 65℃ 4h step P2
MODEL2:STEP1:25℃4h STEP2:65℃ 4h step P1
RH根據要求設定,
3) 啟動狀態(tài);
4)160hrs、即10cycles后關閉儀器,取出材料;
5)常溫下放置12h后,48h之內測試。
試驗條件及判據:八、
環(huán)境條件
(1)標準狀態(tài)
標準狀態(tài)是指預處理,后續(xù)處理及試驗中的環(huán)境條件。論述如下環(huán)境溫度:15~35°C45~75%相對濕度:
(2)判定狀態(tài)
判定狀態(tài)是指初測及終測時的環(huán)境條件。論述如下:
環(huán)境溫度:25±3℃
相對濕度:45~75%
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