晶體拉制
在晶體拉制過(guò)程中,英福康的電容真空計(jì)系列可以控制拉制腔內(nèi)的工藝壓力,從而生長(zhǎng)出無(wú)瑕的硅晶體。這種精準(zhǔn)的壓力控制對(duì)于實(shí)現(xiàn)*佳晶體生長(zhǎng)至關(guān)重要,并有助于提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和純度。
真空元件可確保無(wú)泄漏連接,有助于提高光刻工藝的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。
此外,采用了光學(xué)氣體分析裝置的 Augent® OPG550 能夠監(jiān)測(cè)蝕刻過(guò)程中使用的氣體成分,進(jìn)一步確保工藝穩(wěn)定性和精準(zhǔn)的材料去除。
電容真空計(jì)系列可監(jiān)控過(guò)程壓力,而熱離子計(jì)、冷陰極和真空配件則有助于進(jìn)行穩(wěn)定的系統(tǒng)壓力控制,提高過(guò)程均勻性和設(shè)備性能。我們的光學(xué)氣體分析儀 Augent® OPG550 能夠監(jiān)控材料沉積過(guò)程中的氣體成分,確保*佳條件。
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