EBSD技術(shù)可以通過研究晶粒取向關(guān)系、晶界類型、再結(jié)晶晶粒、微織構(gòu)等，反應(yīng)材料在凝固、形變、相變、失效破壞等過程中晶粒是如何形成長(zhǎng)大及晶粒間的取向轉(zhuǎn)換等，可以作為技術(shù)人員提高材料性能的理論依據(jù)，目前EBSD技術(shù)廣泛應(yīng)用于金屬、陶瓷、地質(zhì)礦物等領(lǐng)域。EBSD數(shù)據(jù)來自樣品表面下10-50nm厚的區(qū)域，且EBSD樣品檢測(cè)時(shí)需要傾轉(zhuǎn)70°，為避免表面高處區(qū)域遮擋低處的信號(hào)，所以要求EBSD樣品表面“新鮮”、清潔、平整、良好的導(dǎo)電性、無應(yīng)力等要求。

      目前比較常用的EBSD制樣方法為機(jī)械拋光、電解拋光、聚焦離子束（FIB）等。目前機(jī)械拋光比較常用的拋光膏硬度較大，雖然粒度可以很小，但是仍會(huì)劃傷表面，不適合硬度較小的材料。其形變應(yīng)力層較大，雖然可以通過化學(xué)侵蝕的方法在一定程度上去除表面形變層，但是對(duì)于多相材料來說，侵蝕速度的不同，會(huì)造成材料表面凹凸不平，同時(shí)侵蝕一定程度上會(huì)加快晶界處的腐蝕速度，降低EBSD的標(biāo)定率，損失了對(duì)于晶界處的研究?jī)r(jià)值，尤其對(duì)晶粒非常細(xì)小的材料，侵蝕會(huì)嚴(yán)重丟失其取向信息。同時(shí)機(jī)械拋光時(shí)需要用水沖洗，容易造成材料氧化，不適用于易氧化的材料。聚焦離子束是利用高電流密度的鎵離子束對(duì)樣品進(jìn)行侵蝕、減薄，雖然其進(jìn)行精確逐層切割，但是鎵離子較重，轟擊到樣品上容易產(chǎn)生較厚的非晶層，尤其對(duì)易于相變的材料，鎵離子轟擊容易使其表面發(fā)生相變，生成第二相，使實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)產(chǎn)生偏差，比如WC-Co硬質(zhì)合金，使用鎵離子轟擊時(shí)，Co相從面心立方結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)槊芘帕浇Y(jié)構(gòu)。FIB測(cè)試區(qū)域非常小，耗時(shí)非常長(zhǎng)，不利于觀察，同時(shí)其價(jià)格非常昂貴。且對(duì)于鋁、鎂等FIB易造成其表面污染，所以不適合對(duì)其應(yīng)用FIB切割。

     氬離子拋光是利用高電流密度的氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行轟擊，氬離子相對(duì)鎵離子來說非常輕，產(chǎn)生的應(yīng)力層、非晶層非常薄，可以避免由于制樣方法對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)產(chǎn)生的誤導(dǎo)，同時(shí)由于晶格畸變較小，可以提高EBSD的標(biāo)定率，降低標(biāo)定參數(shù)，從而有效提高標(biāo)定效率，節(jié)約時(shí)間。

以下是采用徠卡三離子束切割儀制備的EBSD樣品案例來對(duì)此進(jìn)行證明。

步驟1：徠卡 EM TXP將樣品表面磨拋平整，采用9um金剛石砂紙。

步驟2：徠卡EM TIC 3X對(duì)樣品表面進(jìn)行切割，電壓7kv，切割時(shí)間的長(zhǎng)短根據(jù)樣品觀察面的大小。

結(jié)果：

* 每層都能清晰的觀察到

* 焊球的結(jié)構(gòu)清晰可見

* 菊池花樣表明制備出的樣品表面質(zhì)量高

不同區(qū)域的菊池花樣

步驟1：徠卡 EM TXP將樣品表面磨拋平整，采用9um金剛石砂紙。

步驟2：徠卡EM TIC 3X對(duì)樣品表面進(jìn)行切割，電壓7kv，切割時(shí)間根據(jù)樣品觀察面的大小。

結(jié)果：

● 銅合金的晶粒結(jié)構(gòu)可見

● 清晰的菊池花樣可判斷出樣品表面的制備質(zhì)量是非常好的

晶粒取向分布圖和稱度圖像

菊池花樣

銅合金的晶粒結(jié)構(gòu)