RCA清洗機(jī)中的RCA分別代表SPM（硫酸/過(guò)氧化氫混合物）、APM（氨水/過(guò)氧化氫混合物）、DHF（稀釋的氫氟酸）和HPM（鹽酸/過(guò)氧化氫混合物）。以下是具體介紹：

SPM（硫酸/過(guò)氧化氫混合物）

組成成分：SPM是由硫酸（H2SO4）、過(guò)氧化氫（H2O2）和水（H2O）組成的混合物，其中硫酸與過(guò)氧化氫的體積比通常為1:3。

主要作用：SPM具有很高的氧化能力，可以將金屬氧化后溶解于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。

APM（氨水/過(guò)氧化氫混合物）

組成成分：APM又稱SC-1試劑，由氨水（NH4OH）、過(guò)氧化氫（H2O2）和水（H2O）組成，三者的比例通常在1:1:5到1:2:7之間。

主要作用：APM主要用于堿性氧化，去除硅片上的顆粒，并可氧化及去除表面少量的有機(jī)物和Au、Ag、Cu、Ni、Cd、Zn、Ca、Cr等金屬原子污染。在清洗過(guò)程中，由于H2O2的作用，硅片表面會(huì)形成一層自然氧化膜（SiO2），呈親水性，使得硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透，從而達(dá)到去除粒子的目的。

DHF（稀釋的氫氟酸）

組成成分：DHF是氫氟酸（HF）或稀氫氟酸的溶液，HF與水的體積比通常為1:（2~10）。

主要作用：DHF利用氫氟酸能夠溶解二氧化硅的特性，去除在上步清洗過(guò)程中生成的硅片表面氧化層，同時(shí)將吸附在氧化層上的微粒及金屬去除。此外，DHF還能在去除氧化層的同時(shí)在硅晶圓表面形成硅氫鍵，使硅表面呈疏水性。

HPM（鹽酸/過(guò)氧化氫混合物）

組成成分：HPM又稱SC-2試劑，由鹽酸（HCl）、過(guò)氧化氫（H2O2）和水（H2O）組成，三種物質(zhì)的比例從1:1:6到1:2:8不等。

主要作用：HPM的主要作用是酸性氧化，能溶解多種不被氨絡(luò)合的金屬離子，以及不溶解于氨水但可溶解在鹽酸中的Al(OH)3、Fe(OH)3、Mg(OH)2和Zn(OH)2等物質(zhì)。因此，HPM對(duì)Al3+、Fe3+、Mg2+、Zn2+等離子的去除有較好效果。