半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),它的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。
半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu),大致可分為以下幾類。1、化合物半導(dǎo)體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導(dǎo)體材料。它的種類很多,重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中砷化鎵是制造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由于其抗輻射能力強(qiáng)、耐高溫和化學(xué)穩(wěn)定性好,在航天技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。3.無(wú)定形半導(dǎo)體材料 用作半導(dǎo)體的玻璃是一種非晶體無(wú)定形半導(dǎo)體材料,分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開(kāi)關(guān)和記憶特性和很強(qiáng)的抗輻射能力,主要用來(lái)制造閾值開(kāi)關(guān)、記憶開(kāi)關(guān)和固體顯示器件。2、元素半導(dǎo)體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。50年代,鍺在半導(dǎo)體中占主導(dǎo)地位,但 鍺半導(dǎo)體器件的耐高溫和抗輻射性能較差,到60年代后期逐漸被硅材料取代。用硅制造的半導(dǎo)體器件,耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件。因此,硅已成為應(yīng)用最多的一種增導(dǎo)體材料,目前的集成電路大多數(shù)是用硅材料制造的。3、有機(jī)增導(dǎo)體材料已知的有機(jī)半導(dǎo)體材料有幾十種,包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,目前尚未得到應(yīng)用 。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)對(duì)于材料應(yīng)用甚為重要。因?yàn)椴煌奶匦詻Q定不同的用途。
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