微流控芯片廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物學(xué)和醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域。在微流控芯片內(nèi),通常需要微電極產(chǎn)生電場(chǎng)以操控流體、顆?;蜻M(jìn)行傳感和電化學(xué)反應(yīng)。然而,由于常見導(dǎo)電金屬材料的熔點(diǎn)較高,要在微米級(jí)分辨率下進(jìn)行圖案化處理并非易事。通常,貴金屬或氧化銦錫 (ITO) 被濺射或蒸發(fā)沉積在玻璃基板上形成導(dǎo)電薄膜,然后利用光刻和蝕刻工藝形成所需的圖案。盡管這些技術(shù)已經(jīng)比較成熟,但成本較高,而且納米級(jí)厚度的導(dǎo)電薄膜通常電阻較大。因此,開發(fā)和利用新型電極材料和制備方法對(duì)微流控領(lǐng)域至關(guān)重要。
基于以上背景,重慶大學(xué)生物工程學(xué)院胡寧教授和鄭小林教授課題組開發(fā)了一種高分辨率、低阻抗的液態(tài)金屬微電極(μLMEs)的快速制備方法,利用液態(tài)金屬 (LM) 鎵 (Ga) 和聚 N-異丙基丙烯酰胺 (PNIPAM) 的相變特性,將鎵金屬填充進(jìn)圖案化的聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 微通道,形成精密的表面嵌入微電極。經(jīng)計(jì)算和測(cè)試,液態(tài)金屬微電極的電阻比同平面尺寸下的薄膜金電極和ITO電極小1-3個(gè)數(shù)量級(jí)。
相關(guān)成果以“High-Resolution Patterning and Efficient Fabricating of Liquid Metal Microelectrodes Using PNIPAM Sacrificial Layer” 為題發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊《Advanced Materials Technologies》上,重慶大學(xué)生物醫(yī)學(xué)工程系博士研究生劉星為本文的第一作者,胡寧教授和鄭小林教授為本文的共同通訊作者,重慶大學(xué)為該論文的第一通訊單位。
液態(tài)金屬鎵因其低熔點(diǎn)、高導(dǎo)電性、生物兼容性等優(yōu)點(diǎn)成為微電極材料的理想候選。雖然液態(tài)金屬具有快速微通道填充或打印成型的優(yōu)勢(shì),但其巨大的表面張力和與基材粘附等問題限制了其圖案化精度。研究團(tuán)隊(duì)選用PNIPAM作為犧牲層材料,其熱響應(yīng)特性使其在低溫下水合溶解、高溫下脫水成膜,從而便于液態(tài)金屬與基材的分離。在制備過程中,PNIPAM被涂覆于硅烷化處理后的玻璃表面,通過加熱形成固體薄膜。隨后,使用SU-8光刻技術(shù)或3D打印技術(shù)制作微通道模具,并填充PDMS材料成型。液態(tài)鎵在高溫環(huán)境下融化并保持液態(tài),通過真空填充進(jìn)入PDMS微通道,再經(jīng)低溫處理固化成型。最終,在水浴中利用PNIPAM的溶解特性,實(shí)現(xiàn)電極與基材的分離。在本工作中,采用摩方精密面投影微立體光刻(PμSL)3D打印技術(shù)快速制作不同形狀和深度的微通道模具,展現(xiàn)了巨大的優(yōu)勢(shì)。
在進(jìn)行鎵對(duì)基底的黏附測(cè)試時(shí),研究人員發(fā)現(xiàn),鎵在空氣中迅速形成的氧化層薄膜會(huì)阻礙液態(tài)鎵的流動(dòng),影響接觸角測(cè)量的可靠性。因此,傳統(tǒng)的靜態(tài)接觸角測(cè)試并不適用于液態(tài)金屬鎵。研究團(tuán)隊(duì)在不同的基底上進(jìn)行鎵液滴撞擊實(shí)驗(yàn),同時(shí)觀察其接觸角和潤(rùn)濕直徑。通過對(duì)比測(cè)試結(jié)果和實(shí)際制備效果,證實(shí)裸玻璃和僅進(jìn)行表面硅烷化處理的基材都會(huì)黏附大量的鎵,而經(jīng)過表面硅烷化處理后旋涂PNIPAM薄膜的基底能夠更好地保證液態(tài)金屬圖案的完整性。
圖2. 液態(tài)鎵在不同表面上的沖擊潤(rùn)濕和電極制造效果。A) 液態(tài)鎵從一定高度沖擊 (i) PDMS、(ii) 玻璃、(iii) 硅烷化玻璃和 (iv) 覆蓋有 PNIPAM 薄膜的硅烷化玻璃的表面。B、C) 分別在其他基底上和已經(jīng)通過本文方法處理的基底上制造的微電極。 (i) 微電極的顯微鏡視圖。(ii)、(iii) 和 (iv) 是不同圖案照片。
研究人員測(cè)試了微電極的表面特性和電氣特性。由于本工作中PDMS通道內(nèi)嵌入的液態(tài)金屬層厚度為微米級(jí)而非納米級(jí),因此不同圖案的電極實(shí)測(cè)電阻均保持在數(shù)歐以下。并且經(jīng)過等離子表面清洗后,電極模塊可以與另一PDMS微通道結(jié)構(gòu)緊密粘合。對(duì)比金電極和ITO電極,液態(tài)金屬微電極在更低的電壓下即可驅(qū)動(dòng)液體和顆粒流動(dòng)。
圖3. μLME電氣特性。A) (i) 簡(jiǎn)單條形電極電阻值為1.4Ω, (ii) 整體直徑約為 91.4 毫米的螺旋電極(圖案來自梵高“星月夜“)的電阻值僅為 2.8 Ω。B) μLME 與 PDMS 通道鍵合示意圖。C) (i) 電滲流數(shù)值模擬和 (ii) (iii) 微粒驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)。
在試驗(yàn)過程中,研究人員發(fā)現(xiàn),低頻和高幅值的電信號(hào)會(huì)對(duì)電極造成不同程度的損壞,這限制了電極的應(yīng)用場(chǎng)景和使用壽命。因此,研究團(tuán)隊(duì)嘗試設(shè)計(jì)不同的電極嵌入厚度以改善電極性能。然而,軟光刻方法在不同深度通道的芯片制造上具有局限性。團(tuán)隊(duì)采用摩方精密microArch® S230(精度:2 μm)3D打印系統(tǒng)制備了同一芯片上具有不同高度的叉指電極模具,并脫模為不同深度的PDMS微通道。高精度的打印不僅得到了與光刻工藝相當(dāng)?shù)娜S分辨率,也保證了脫模后PDMS的平面光滑度,從而保證了芯片與基底的粘合與鍵合。實(shí)驗(yàn)表明,更厚的電極層有更穩(wěn)定的表現(xiàn)和更長(zhǎng)的使用壽命。
圖4. 用低頻電壓測(cè)試不同嵌入厚度的芯片。A) 3D 打印模型 (i) 和制造和粘合的 (ii) 芯片。B) 施加 10 kHz、10 Vpp 電壓 30 秒后 (i) 50μm (ii) 100μm (iii) 150μm,以及(iv)200μm 厚度電極的損壞程度。
總結(jié):本研究采用熔點(diǎn)略高于室溫的鎵來獲得特別的表面暴露的片上微電極,該方法涉及三個(gè)主要步驟:液態(tài)鎵的真空填充、鎵的過冷凝固以及使用PNIPAM作為犧牲層來幫助分離和防止鎵粘附。研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)通過實(shí)驗(yàn)證明,液態(tài)金屬電極操縱流體和顆粒的能力比納米薄膜平面電極要高效得多。隨著研究人員的進(jìn)一步探究,預(yù)計(jì)這種液態(tài)金屬電極的應(yīng)用場(chǎng)景能夠繼續(xù)拓寬。
本研究得到了國家自然科學(xué)基金的資金支持和瑞典隆德大學(xué)的設(shè)備支持。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。