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正電子湮沒在石墨烯材料微觀結構表征中的應用

來源:安徽核芯電子科技有限公司   2025年03月05日 11:54  


        目前市場上已經(jīng)有多種設備用于石墨烯聚合物復合材料微觀結構的表征,但因為許多儀器本身的局限性,使得自由體積及其分數(shù)、界面相互作用等微觀結構的表征非常困難,難以構建微觀結構與宏觀性能之間的關系;而自由體積關乎材料的相變溫度、電導率、熱導率和阻隔性等方面性能。


測試原理 

        當放射性同位素(如Na-22)產(chǎn)生的正電子進入材料后材料后,會與材料中的電子發(fā)生湮沒,正電子產(chǎn)生到湮沒的時間差稱為正電子湮沒壽命,根據(jù)湮沒方式的不同,正電子會有不同的壽命。

        對于聚合物材料,正電子主要有兩種湮沒類型:

        1.正電子直接與材料中的電子發(fā)生湮沒;

        2.正電子在孔洞及自由體積內(nèi)會與電子形成類氫原子的束縛態(tài)(類似正電子為原子核的氫原子),稱為電子偶素(positronium),電子與正電子的自旋方向平行為正-電子偶素(ortho-positronium,簡寫為o-Ps),電子與正電子的自旋方向反平行為仲-電子偶素(para-positronium,簡寫為p-Ps)。電子偶素在形成后也會發(fā)生湮沒,真空中的湮沒壽命分別為125ps(p-Ps)和142ns(o-Ps)。 在聚合物中,一般會存在三種不同的正電子湮沒壽命:

            ●第yi壽命(200ps附近):對應于p-Ps湮沒類型 

            ●第二壽命(400ps左右):對應與正電子與材料中電子的直接湮沒 

            ●第三壽命(1-5ns):正對應與o-Ps湮沒類型 使用專業(yè)軟件對正電子湮沒壽命譜進行解譜可以獲得第三壽命τ3的值,進而計算材料中的自由體積半徑 

image.png

        式中R為自由體積半徑,ΔR為經(jīng)驗修正系數(shù)0.166 nm


image.png

典型案例 


?? 案例1. 自由體積與相變溫度 

        ● 氧化石墨烯添加量對聚氨酯自由體積分數(shù)的影響:隨著氧化石墨烯質量分數(shù)的增加(0~2.0%),復合材料的自由體積分數(shù)先降低后增加,與玻璃化溫度的變化一致。添加量質量分數(shù)為0.5%時自由體積分數(shù)最小,聚氨酯鏈段運動的空間最小,玻璃化溫度最-

        ●石墨烯添加量對聚乙烯自由體積分數(shù)的影響:隨著石墨烯質量分數(shù)的增加 (0~2.0%),復合材料的自由體積分數(shù)逐漸降低,熔點逐漸升高

?? 案例2. 自由體積與電導率

        γ輻射對聚乙烯醇/聚乙二醇/石墨烯復合材料電導率影響:建立了電導率與自由體積的數(shù)量關系,通過擬合電導率和自由體積 的結果,得到了離子傳輸?shù)淖钚】锥闯叽鐬?0.34?。

       ●利用正電子湮沒實現(xiàn)了聚碳酸酯/石墨烯復合材料電導率與自由體積分數(shù)的關聯(lián)方程式,并且該方程可用于類似復合材料電導率變化的解釋。

?? 案例3. 自由體積與阻隔性

       還原的氧化石墨烯和石墨烯量子點摻雜的海藻酸鈉膜材料對醇/水分離效果的影響:共同摻雜膜的自由體積尺寸明顯小于石墨烯單獨摻雜的膜材料,共摻雜膜材料的平均孔徑為3.11?,大于水分子的動力學直徑2.6?,小于甲醇分子的動力學直徑3.8?,因此共摻雜的膜材料具有優(yōu)異的醇/水分離性能。

       磺化氧化石墨烯的取向對Nafion膜氣體阻隔性能的影響:通過正電子湮沒測定了不同取向情況下復合膜的自由體積分數(shù),利用相關方程式進行了自由體積分數(shù)與擴散系數(shù)的關聯(lián),從而揭示了磺化氧化石墨烯取向的影響。

?? 案例4. 自由體積與熱導性

       石墨烯添加量對聚乙烯醇復合材料熱導率的影響:隨著自由體積空洞濃度的增加熱導率顯著降低,通過擬合實驗結果得出了自由體積分數(shù)與熱導率的數(shù)量關系。


        正電子湮沒技術不僅能揭示石墨烯聚合物復合材料的自由體積特性,現(xiàn)在還能用于聚合物與石墨烯等填料間界面相互作用強度的研究,為該類復合材料結構與性能關系的構建提供了一種新的研究方法。結合材料的凝聚態(tài)物理模型,可以構建該類復合材料自由體積分數(shù)與宏觀電導率、熱導率、阻隔性能的數(shù)量關系,為石墨烯聚合物復合物材料的精準構筑奠定了基礎。

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