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作為工控產(chǎn)品的主要器件,碳化硅功率模塊究竟有哪些優(yōu)點?

來源:北京榮盛佳利商貿(mào)有限公司   2015年08月25日 13:21  


當(dāng)今,賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術(shù)

當(dāng)今,賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術(shù),較寬的輸出功率范圍和zui高的效率等特征。如今已經(jīng)有四種不同封裝形式的混合和全碳化硅(SiC)功率模塊可訂購,每種封裝形式都*特色。


碳化硅功率模塊的優(yōu)點

賽米控的混合碳化硅功率模塊是一種易于實現(xiàn)減少功耗并且增加開關(guān)頻率的方案。它們結(jié)合IGBT技術(shù)采用碳化硅肖特基二極管。

全碳化硅功率模塊必須采用碳化硅(SiC)MOSFET開關(guān)管以實現(xiàn)效率大于99%,zui小的功耗以及zui大的輸出功率和功率密度。由于MOSFET具有體二極管,所以在任何情況下都不需要外部反并聯(lián)二極管,隨著效率的增加 優(yōu)勢將更加明顯。賽米控提供的功率模塊采用的供應(yīng)商的碳化硅芯片,經(jīng)受了的賽米控的質(zhì)量和可靠性的檢測。


碳化硅功率模塊的關(guān)鍵特性

  • 增加的開關(guān)頻率使得濾波元件實現(xiàn)*化并且降低了成本
  • 降低的功率損耗實現(xiàn)了效率的增加并且通過使用更小的冷卻設(shè)備降低了系統(tǒng)成本和尺寸
  • 的供應(yīng)商的的碳化硅芯片
  • 為您的應(yīng)用提供采用*化的芯片組的多種封裝和連接技術(shù)


碳化硅功率模塊的應(yīng)用

碳化硅功率模塊擁有的技術(shù),用它搭建的系統(tǒng)具有技術(shù)上和商業(yè)上的優(yōu)勢。 隨著開關(guān)頻率的增加,升壓應(yīng)用中的濾波元件choke電感或者電源,UPS或者光伏逆變器負(fù)載端濾波器將大幅減小。另外,功率損耗的降低使得在冷卻系統(tǒng)中可以使用更低功率的風(fēng)扇,更小的散熱器或者將以前的強制風(fēng)冷應(yīng)用改為自然對流冷卻的形式,節(jié)省了冷卻成本。zui終,整個系統(tǒng)的效率將被zui大化以實現(xiàn)現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求。


混合碳化硅模塊:
在高開關(guān)頻率時效率高

450A SKiM93: 硅 VS 混合碳化硅

  • 混合碳化硅模塊結(jié)合快速開關(guān)IGBT芯片采用碳化硅肖特基續(xù)流二極管
  • 主要減小開關(guān)損耗并且增加效率
  • 將1200V,450A分別采用中等功率IGBT4以及碳化硅續(xù)流二極管和快速IGBT4以及碳化硅肖特基二極管的SKiM93做對比:
  • 效率從96%增加到98.3%
  • 輸出功率增加50%達(dá)到110KW


      全碳化硅模塊:
      在高頻下功率輸出增加150%

      20A MiniSKiiP: 硅 VS全碳化硅

      • 全碳化硅模塊采用一代的碳化硅MOSFET,帶或者不帶碳化硅肖特基續(xù)流二極管
      • zui大程度的降低了開關(guān)損耗并且由于MOSFET的特性在低負(fù)載條件下降低了靜態(tài)損耗
      • 將1200V,20A采用低功率IGBT4以及碳化硅MOSFET帶或者不帶續(xù)流二極管的MiniSKiiP做比較:
      • 效率增加超過99%
      • 輸出功率增加超過100%

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