ST-DP_X-MOS管開關(guān)時間測試儀

產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀

半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）

動態(tài)參數(shù)測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）

環(huán)境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）

熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）

可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

ST-DP_X（1200V200A）

MOSFET&IGBT開關(guān)時間測試儀 ITC57300替代產(chǎn)品

用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開關(guān)時間參數(shù)測試

1200V/200A的輸出能力，覆蓋幾乎所有的半導(dǎo)體分立式單管器件

開通延遲 td(on) 0.1ns~10us    關(guān)斷延遲 td(off) 0.1ns~10us

上升時間 tr 0.1ns~10us           下降時間 tf 0.1ns~10us

  開通時間 ton 0.1ns~10us        關(guān)斷時間 toff 0.1ns~10us

 開通損耗 Eon 1uJ~1000mJ     關(guān)斷損耗 Eoff 1uJ~1000mJ

拖尾電流 0.1A~30A

?產(chǎn)品簡述
     ST-DPX 系列產(chǎn)品是主要針對 半導(dǎo)體功率器件的動態(tài)參數(shù)測試 而開發(fā)設(shè)計。通過DUT適配器的轉(zhuǎn)換，可測試各類封裝外觀的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模塊、DBC襯板以及晶圓。產(chǎn)品功能模塊化設(shè)計，根據(jù)用戶需求匹配功能單元。測試功能單元有DPT（雙脈沖測試 Double Pulse Testing，以下簡稱DPT。包含開通特性、關(guān)斷特性、反向恢復(fù)特性）柵電荷、短路、雪崩、結(jié)電容、柵電阻、反偏安全工作區(qū)等。測試方案*符合IEC60747-9標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品功能及輸出功率進(jìn)行了模塊化設(shè)計，滿足用戶潛在的后期需求，*高測試電壓電流可擴展至10KV/10KA，變溫測試支持常溫到200℃，支持生產(chǎn)線批量化全自動測試。

?產(chǎn)品特點

? 測試系統(tǒng)電壓以1500V為一個模塊，電流以2000A為一個模塊，可擴展至10KA/10KV

? 內(nèi)置7顆標(biāo)準(zhǔn)電感負(fù)載可選用, 另有外接負(fù)載接口,可實現(xiàn)不同電感和電阻負(fù)載測試需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)

? 另有程控式電感箱可供選擇

? 針對不同結(jié)構(gòu)的封裝外觀，通過更換 DUT適配器即可

? 可進(jìn)行室溫到200℃的變溫測試,也可實現(xiàn)子單元測試功能

? 測試軟件具有實驗?zāi)Ｊ胶蜕a(chǎn)模式，測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件

? 門極電阻可任意調(diào)整, 系統(tǒng)內(nèi)部寄生電感為*小至50nH

? 系統(tǒng)測試性能穩(wěn)定,適合大規(guī)模生產(chǎn)測試應(yīng)用（24hr 工作）

? 安全穩(wěn)定（PLC 對設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實時監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖）

? 系統(tǒng)具有安全工作保護(hù)功能，以防止模塊高壓大電流損壞時對使用者造成傷害，設(shè)計符合CE認(rèn)證

? 支持半自動和全自動測試

? 采用品牌工控機，具有抗電磁*力強，排風(fēng)量大等特點

? 自動化：單機測試時只需手動放置DUT，也可連接機械選件實現(xiàn)自動化測試線

? 智能化，通過主控計算機進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯，測試結(jié)果自動保存及上傳局域網(wǎng)

? 安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

?參數(shù)指標(biāo)