化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>光刻及涂膠顯影設(shè)備>納米壓印設(shè)備>mr-I 7000E、mr-I 8000E 德國Micro Resist納米壓印膠
mr-I 7000E、mr-I 8000E 德國Micro Resist納米壓印膠
- 公司名稱 邁可諾技術(shù)有限公司
- 品牌
- 型號 mr-I 7000E、mr-I 8000E
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/5/17 8:14:13
- 訪問次數(shù) 3332
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| 供貨周期 | 一個月以上 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
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品牌 | 產(chǎn)地 | 型號 | 特點 |
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Micro Resist | 德國 | mr-I 7000E系列 | Tg = 60℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量 由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間 壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |
mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量 由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間 壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |||
mr-I PMMA 35k/75k系列 | Tg = 105℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量 低分子量從而實現(xiàn)高效的流動性 壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |||
mr-I T85系列 | Tg = 85℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量 壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠 非極化熱塑性、具有優(yōu)異的紫外和光學透過率，高化學穩(wěn)定性 可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率） | |||
mr-I 9000E系列 | 熱固化之前Tg = 35℃ 優(yōu)異的成膜質(zhì)量 | |||
mr-NIL 6000系列 | 光化學固化之前Tg = 40℃ 優(yōu)質(zhì)的固體光膠薄膜 接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行 非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉(zhuǎn)移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠 | |||
mr-UVCur06 | 旋涂使用 優(yōu)質(zhì)的成膜質(zhì)量和膠厚均一性 室溫加工處理 由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間 低劑量紫外曝光快速固化 可獲得優(yōu)于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除 寬帶或i線曝光 | |||
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