TES-8525W 半導(dǎo)體高低溫測(cè)試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降

適合元器件測(cè)試用設(shè)備

在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

無(wú)錫冠亞積探索和研究元件測(cè)試系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體測(cè)試中的溫度測(cè)試模擬，具有寬溫度定向和高溫升降，溫度范圍-92℃~250℃，適合各種測(cè)試要求，解決了電子元器件中溫度控制滯后的問(wèn)題，超高溫冷卻技術(shù)可以直接從300℃冷卻。該產(chǎn)品適用于電子元器件的精確溫度控制需求。

無(wú)錫冠亞元器件高低溫測(cè)試機(jī)在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。這些半導(dǎo)體器件和電子產(chǎn)品一旦投入實(shí)際應(yīng)用，就可以暴露在端環(huán)境條件下，滿(mǎn)足苛刻的軍事和電信可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

半導(dǎo)體高低溫測(cè)試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降

半導(dǎo)體高低溫測(cè)試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降

　　隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電路的集成化程度日益提高，芯片的熱負(fù)荷也不斷增大，使得單位體積容納的熱量也越來(lái)越多，特別是有些在惡劣環(huán)境下使用的軍用電子產(chǎn)品要求其必須是全封閉的，散熱環(huán)境更差，較高的工作環(huán)境溫度使得產(chǎn)品性能急劇惡化，可靠性降低，故障率大大增加，因此電子設(shè)備的熱設(shè)計(jì)在整個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)中占有越來(lái)越重要的地位。據(jù)有關(guān)資料顯示，對(duì)于包括CPU在內(nèi)的電子設(shè)備，現(xiàn)在的失效問(wèn)題，一半是由于過(guò)熱而引起的。

　　在小的尺寸上布置了為數(shù)眾多的元件，雖然每個(gè)重要因素就是元器件的工作溫度，器件溫度在水平上每增加，其可元件的功率很小，但高集成度使熱流密度。在電子產(chǎn)品中，影響其可靠性的靠性將下降。因此，微電子器件的冷卻已成為重要的研究課題。

　　電子設(shè)備的熱設(shè)計(jì)在整個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中占有越來(lái)越重要的地位，要在系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過(guò)程考慮采用有效的冷卻技術(shù)，及時(shí)把元器件的發(fā)熱量帶走，降低器件的工作溫度，提高器件工作的可靠性。

半導(dǎo)體高低溫測(cè)試?yán)渌畽C(jī)也就是溫差制冷，現(xiàn)代發(fā)展起來(lái)的人工制冷新技術(shù)，制冷的基礎(chǔ)是溫差電現(xiàn)象。把N型和P型兩個(gè)半導(dǎo)體兩個(gè)溫差電元件聯(lián)接結(jié)成熱電偶對(duì)，并通以直流電流時(shí)，在電偶對(duì)接頭處便會(huì)出現(xiàn)溫差和能量的轉(zhuǎn)移，在上邊的一個(gè)接頭處，電流方向是NP，溫度下降并且吸熱，成為冷端。而在下邊的一個(gè)接頭處，電流方向PN，溫度上升并且放熱，成為熱端。這就是半導(dǎo)體制冷的基本機(jī)理。