Nano CVD 臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列
- 公司名稱 QUANTUM量子科學儀器貿(mào)易（北京）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 Nano CVD
- 產(chǎn)地
- 廠商性質 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/1/20 9:19:46
- 訪問次數(shù) 2503
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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 應用領域 | 化工,電子,冶金,電氣,綜合 |
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臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD
產(chǎn)品簡介：
臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質量的石墨烯與碳納米管而開發(fā)的高性能臺式CVD系統(tǒng)。在與諾獎科研團隊的長期合作中獲得的豐富經(jīng)驗使該系列產(chǎn)品具有非常高的性能。別是針對石墨烯、碳納米管等不同的應用進行了針對性的化。該系列產(chǎn)品操作簡便，生長條件控制準確，生長迅速、制備出的樣品具有高質量、高可重復性，這些點使得該系列產(chǎn)品受到多個石墨烯研究團隊的贊譽。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質量石墨烯或碳納米管用于前沿學術研究的團隊。例如，?？巳髮W、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業(yè)大學這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。
nanoCVD采用全新的設計理念，可以快速、高質量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設計方案，具有以下主要點:
◎ 系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。
◎ 更加準確的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。
◎ 安全性設計，具有尾氣稀釋模塊。
◎ 智能化設計，全自動引導式觸屏操作系統(tǒng)。
◎ 支持自動程序的設定與儲存。
◎ 雄厚的技術積累，業(yè)的技術支持。
設備型號：
臺式超高質量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G
nanoCVD-8G系統(tǒng)是性能穩(wěn)定的快速的石墨烯生長系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強自動控制系統(tǒng)，可以準確的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺可在2分鐘內升溫至1000℃并準確控溫。該裝置采用了冷壁技術，樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因為這些條件可以讓用戶在30分鐘內即可獲得高質量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進行操作，所有的硬件都是自動化的。更有內置的標準石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質量石墨烯用于高質量學術研究的團隊。?？巳髮W、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業(yè)大學等很多著名的高校都是該系統(tǒng)的用戶。
主要點：
◎ 合成高質量、可重復的石墨烯 ◎ 生長條件準確控制 ◎ 高達溫度：1100 °C ◎ 生長時間：<30 min ◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm2 ◎ 全自動過程控制 ◎ MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4) ◎ 用戶友好型觸屏控制 ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數(shù)據(jù) ◎ 易于維護 ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊 ◎ 兼容超凈間 ◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定
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部分數(shù)據(jù)展示：
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小型等離子增強大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質量石墨烯生長的功能與等離子體增強技術相結合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)準確的生長控制條件可以制備多種高質量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個重大飛躍。全新的設計方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。
應用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲能材料。
主要點：
生長條件： ◎ 襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4， PMMA等 ◎ 保護氣體：H2，Ar，N2等
典型配置指標： ◎ 腔體：腔壁水冷技術，熱屏蔽不銹鋼腔體 ◎ 真空系統(tǒng)：分子泵系統(tǒng)，5×10-7 mbar本底真空。 ◎ 樣品臺：大4英寸直徑，高達1100°C ◎ 操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動控制或自動控制 ◎ 氣體控制：MFC 流量計，Ar，CH4，H2為標配種類。 ◎ 過程控制：自動控制 ◎ 等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺附近或需要的位置產(chǎn)生等離子體。 ◎ 安全性：冷卻與真空鎖系統(tǒng)，氣體稀釋模塊。 |
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發(fā)表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應用襯底上的濕轉移工藝會導致材料的微量污染。這些純度會對石墨烯的其他殊性產(chǎn)生不影響，并對電子和光電應用產(chǎn)生影響。
相關設備: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉移到纖維上，*生產(chǎn)出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質量意味著電有超低的表面電阻和高的機械穩(wěn)定性。
相關設備: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢，并報道了使用nanoCVD – 8G制備的高質量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現(xiàn)出半整數(shù)量子霍爾效應，這與剝離制備的樣品相當。
相關設備: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
用nanoCVD – 8N技術制備了單壁碳納米管，并用電化學技術對其進行了研究。高分辨率的測量可以檢查單個單壁碳納米管的性。這發(fā)現(xiàn)對未來使用SWNT電的器件設計具有重要意義。
相關設備: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
電化學技術，結合使用nanoCVD - 8N技術產(chǎn)生的單壁碳納米管，被用來證明即使在沒有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現(xiàn)出顯著的活性。
相關設備: nanoCVD-8N
用戶單位
埃克塞大學 |
哈德斯菲爾德大學 |
萊頓大學 |
亞琛工業(yè)大學 |
采購中心
化工儀器網(wǎng)