CRF-APO-500W-W 相框玻璃plasma等離子清洗機(jī)

自動(dòng)On-Line（軸輪式）式AP等離子處理系統(tǒng)CRF-APO-500W-W

型號(hào)（Model）

CRF-APO-500W-W

電源（Power supply）

220V/AC,50/60Hz

功率（Power）

2set*1000W/25KHz(Option)

處理寬幅（Processing width）

50mm-500mm（Option）

有效處理高度（Processing height）

5-15mm

處理速度（Processing speed）

0-5m/min

傳動(dòng)方式（Drive mode）

防靜電絕緣滾輪

噴頭數(shù)量（Number）

2（Option）

工作氣體（Gas）

Compressed Air（0.4mpa）

產(chǎn)品特點(diǎn)：配置專業(yè)運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)，PLC+觸摸屏控制方式，采用精準(zhǔn)運(yùn)動(dòng)模組，操作簡便；

可選配噴頭數(shù)量，滿足客戶多元化需求；

配置專業(yè)集塵系統(tǒng)，保證產(chǎn)品品質(zhì)和設(shè)備的整潔、干凈；

應(yīng)用范圍：主要應(yīng)用于電子行業(yè)的手機(jī)殼印刷、涂覆、點(diǎn)膠等前處理，手機(jī)屏幕的表面處理；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)移印刷前處理等。

等離子體可將氣體分子離解或分解為化學(xué)活性組分

    集成電路的第壹步是通過掩模向基底透射電路圖案。光敏性聚合物光刻膠經(jīng)紫外線曝光后，受照射部分通過顯影作用去除。一旦電路圖案在光刻膠上定型后，即可通過刻蝕工藝將圖案復(fù)制到多晶硅等質(zhì)地的基底薄膜上，從而形成晶體管門電路，同時(shí)用鋁或銅實(shí)現(xiàn)元器件之間的互連，或用二氧化硅來阻斷互連路徑?？涛g的作用在于將印刷圖案以*的準(zhǔn)確性轉(zhuǎn)移到基底上，因此刻蝕工藝必須有選擇地去除不同薄膜，基底的刻蝕要求具備高度選擇性。否則，不同導(dǎo)電金屬層之間就會(huì)出現(xiàn)短路。另外，刻蝕工藝還應(yīng)具有各向異性，那樣可保證將印刷圖案精(確)復(fù)制到基底上。
等離子體可將氣體分子離解或分解為化學(xué)活性組分，后者與基底的固體表面發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性物質(zhì)，然后被真空泵抽走。通常有四種材料必須進(jìn)行刻蝕處理：硅（慘雜硅或非慘雜硅）、電介質(zhì)（如SiO2或SiN）、金屬（通常為鋁、銅）以及光刻膠。每種材料的化學(xué)性質(zhì)都各不相同。等離子體刻蝕為一種各向異性刻蝕工藝，可以確?？涛g圖案的精(確)性、對(duì)特定材料的選擇性以及刻蝕效(果)的均勻性。等離子體刻蝕中，同時(shí)發(fā)生著基于等離子作用的物理刻蝕和基于活性基團(tuán)作用的化學(xué)刻蝕。等離子體刻蝕工藝始于比較簡單的平板二極管技術(shù)，已經(jīng)發(fā)展到時(shí)用價(jià)值數(shù)百萬美元的組合腔室，配備有多頻發(fā)生器、靜電吸盤、外部壁溫控制器以及針對(duì)特定薄膜專門設(shè)計(jì)得多種流程控制傳感器。
可進(jìn)行刻蝕處理的電介質(zhì)為二氧化硅和氮化硅。這兩種電介質(zhì)的化學(xué)鍵鍵能很高，一般需采用由碳氟化合物氣體（如CF4、C4F8等）產(chǎn)生的高活性氟等離子體才能將其刻蝕。上述氣體所產(chǎn)生的等離子體化學(xué)性質(zhì)極為復(fù)雜，往往會(huì)在基底表面產(chǎn)生聚合物沉積，一般采用高能離子將上述沉積物去除。