FIB:ZERO 新代高精度低溫銫離子源FIB系統(tǒng)
- 公司名稱 QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易（北京）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) FIB:ZERO
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/4/18 12:16:23
- 訪問次數(shù) 2369
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 500萬-1000萬 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,電氣,綜合 |
新代高精度低溫銫離子源FIB系統(tǒng)
 | 運(yùn)用曾獲諾貝爾獎(jiǎng)的激光冷卻技術(shù)，zeroK Nanotech公司于2020年推出了基于低溫銫離子源（Cs+ LoTIS）的新代高精度低溫銫離子源FIB系統(tǒng)——FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）和相應(yīng)的離子源升配件——FIB：RETRO。zeroK Nanotech公司采用的低溫技術(shù)可以減少離子束中的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，從而使FIB：ZERO中的離子束斑與傳統(tǒng)離子源產(chǎn)生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸和更低的能量散失。同時(shí)，還可以產(chǎn)生更多的二次離子，獲得更清晰的成像。 系列測(cè)試表明，新代的FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）與傳統(tǒng)的液態(tài)金屬鎵離子源(Ga+ LMIS) FIB 系統(tǒng)相比擁有更高的微納加工精度，更清晰的成像對(duì)比度和景深。其加工速度與傳統(tǒng)FIB基本致，在低離子束流能量條件下有著更異的表現(xiàn)。與氦（He+），氖（Ne+）離子源FIB相比，F(xiàn)IB: ZERO擁有高個(gè)數(shù)量的加工速度和對(duì)樣品更少的加工損傷。 |
應(yīng)用域
◎ 納米精細(xì)加工
◎ 芯片線路修改和失效分析
◎ 微納機(jī)電器件制備
◎ 材料微損傷磨削加工
◎ 微損傷透射電鏡制樣
設(shè)備點(diǎn)
更高的亮度：低溫Cs+離子使FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）與傳統(tǒng)FIB (Ga+ LMIS)相比具有更高的亮度，配合其全新的高對(duì)比度大景深成像系統(tǒng)，對(duì)樣品的觀察范圍更大、更清晰。
更小的離子束斑尺寸：FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）系統(tǒng)小分辨率可達(dá)2 nm，提供了比傳統(tǒng)的FIB (Ga+ LMIS)更高的加工精度。
更小的能量散失：可達(dá)10 nA以上的離子束電流，保證了低能量離子束條件下的 秀表現(xiàn)。
設(shè)備型號(hào)
FIB:ZERO聚焦離子束
采用Cs+低溫離子源（LoTIS）的聚焦離子束 FIB：ZERO系統(tǒng)以較低的束能量提供較小的聚焦點(diǎn)尺寸，并提供多種束電流。它是當(dāng)今基于Ga+，He+或Ne+的FIB的下代替代產(chǎn)品。
FIB:ZERO是采用新型高性能Cs+離子源的聚焦離子束系統(tǒng)。與 Ga+系統(tǒng)相比，即使在較低的光束能量下，它也可以提供更好的分辨率。與He+或Ne+系統(tǒng)相比，它的銑削速率高個(gè)數(shù)量，并且減少了樣品損傷。FIB:ZERO還可提供可更高的對(duì)比和更高的二次離子產(chǎn)率。
FIB:ZERO應(yīng)用域： ◎ 高分辨率濺射 ◎ 二次電子或離子成像 ◎ 氣體驅(qū)動(dòng)的沉積和去除 ◎ 電路編輯
FIB:ZERO主要參數(shù) ◎ Cs+離子束在10 keV下具有2 nm分辨率 ◎ 1 pA至10+ nA束電流 ◎ 2 keV至18 keV的束能量 ◎ 兼容大多數(shù)附件 |
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動(dòng)態(tài)SIMS
與同類產(chǎn)品相比，采用Cs+低溫離子源（LoTIS） 的SIMS：ZERO聚焦電子束SIMS平臺(tái)，可向同個(gè)點(diǎn)提供100倍的電流，從而能夠以更高的分辨率分析更大的樣本。
SIMS：ZERO產(chǎn)品點(diǎn)：
◎ 具有納米分辨率的Cs +離子束
◎ 10+ nA束電流（Cs +）
◎ 功能齊全的FIB系統(tǒng)
◎ 高分辨率的SIMS
SIMS：ZERO技術(shù)勢(shì)：
◎ 無需薄片即可獲得類似EDX的光譜
◎ 收集SIMS數(shù)據(jù)的速度提高100倍
◎ 很好的控制SIMS的納米加工過程
測(cè)試數(shù)據(jù)
微納加工對(duì)比
加工均勻性對(duì)比
左圖為用FIB (Ga+ LMIS)系統(tǒng)從硅基底上去除150nm厚金膜的結(jié)果，右側(cè)為ZeroK nanotech的FIB: ZERO （Cs+ LoTIS）在相同時(shí)間內(nèi)去除金膜的結(jié)果。
加工精度對(duì)比
左側(cè)圖為Ga+離子源FIB加工結(jié)果, 右側(cè)圖為ZeroK Nanotech FIB: ZERO在相同時(shí)間內(nèi)加工的結(jié)果。
加工速度對(duì)比
在10 kV下 Cs+離子束磨削速度比30kV下的Ga+離子束慢15%，比10kV下的Ne+離子束的磨削速度高90%。
加工損傷范圍對(duì)比
SRIM（The Stop and Range of Ions in Matter）模擬離子束在加工硅的過程中對(duì)材料的影響范圍，圖從左至右分別為Ne+10KV, Ga+30KV, Cs+10KV。從圖可以看出，Cs+離子源對(duì)被加工材料的損傷范圍小。
成像效果對(duì)比
景深成像對(duì)比
左圖為Ga+離子源FIB系統(tǒng)對(duì)120μm高的樣品成像結(jié)果，右圖為ZeroK Nanotech FIB：ZERO對(duì)同樣品的成像結(jié)果。
成像對(duì)比度比較
左圖為Ga+離子源FIB對(duì)GaAs/AlGaAs/GaAs層狀結(jié)構(gòu)的成像結(jié)果，右圖為ZeroK Nanotech FIB：ZERO對(duì)同樣品的成像結(jié)果。
成像清晰度比較
左圖為Ga+離子源FIB系統(tǒng)對(duì)芯片橫截面的成像結(jié)果，右圖為ZeroK Nanotech FIB：ZERO對(duì)同截面的成像結(jié)果。
發(fā)表文章
1. Steele, A. V., A. Schwarzkopf, J. J. McClelland and B. Knuffman (2017). "High-brightness Cs focused ion beam from a cold-atomic-beam ion source." Nano Futures 1: 015005.
2. Knuffman, B., A. V. Steele and J. J. Mcclelland (2013). "Cold atomic beam ion source for focused ion beam applications." Journal of Applied Physics 114(4): 191.
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