替代IRLR7843-半導(dǎo)體MOS管

替代IRLR7843應(yīng)用10串MOS管工藝
IRLR7843Trench MOS是電力電子技術(shù)發(fā)展起來的新一代功率半導(dǎo)體器件，因其具有高耐壓、大電流、低導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度快等方面的優(yōu)勢，有著廣闊的應(yīng)用市場。本文首先介紹了Trench MOS的發(fā)展、應(yīng)用以及前景，分析了Trench MOS工作原理及結(jié)構(gòu)，研究了Trench MOS的電學(xué)特性。然后利用TSUPREM4 & MEDICI仿真工具設(shè)計了150V Trench MOS器件，分析了不同外延層濃度對Trench MOS擊穿電壓的影響。最后設(shè)計了終端結(jié)構(gòu)，利用場限環(huán)技術(shù)，達到了抗150V擊穿電壓的目的。

IRLR7843在早期的研究中，人們把Trench MOS研究的焦點集中在擊穿電壓在50V以下的應(yīng)用上。主要關(guān)注Trench MOS的特征導(dǎo)通電阻。通過增加單胞密度，縮短溝道長度，降低閾值電壓等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V傳統(tǒng)Trench MOS(阻下簡稱LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年傳統(tǒng)UMOS就得到了長足的發(fā)展，50V耐壓下原胞密度能達到580uΩ.c㎡7.隨著Trench MOS越來越廣泛的應(yīng)用。柵電容也逐漸成為人們關(guān)注的又一個焦點。由于柵電容直接關(guān)系到器件的開關(guān)速度，許多高頻的應(yīng)用希望Trench MOS的電容越低越好。但是，柵電容是隨著單胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征導(dǎo)通電阻是矛盾的。于是接著，許多研究就開始集中在RDSON和Qgd乘積Fom值上。

替代IRLR7843常見問題
IRLR7843OA失效（電流失效）：導(dǎo)體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式?；蛘?，芯片、散熱器和封裝不能時達到熱平衡，導(dǎo)致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導(dǎo)致溫度超過由于熱擊穿模式而導(dǎo)致的氧化物層的極限。

OA失效的預(yù)防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)；OCP功能必須精確、詳細。

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例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個世界
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代IRLR7843應(yīng)用10串MOS管封裝
IRLR7843TO封裝產(chǎn)品外觀
IRLR7843TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
IRLR7843采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。
IRLR7843其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。
IRLR7843TO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
IRLR7843TO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計，支持*的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
IRLR7843除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關(guān)系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。



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