替代IRFZ44N-半導(dǎo)體功率mos管

替代IRFZ44N應(yīng)用70V功率mos管工藝
IRFZ44N微電子封裝是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程，類(lèi)型多、范圍廣，涉及各種各樣材料和工藝?？砂磶缀尉S數(shù)將電子封裝分解為簡(jiǎn)單的“點(diǎn)、線、面、體、塊、板”等。電子基板是半導(dǎo)體芯片封裝的載體，搭載電子元器件的支撐，構(gòu)成電子電路的基盤(pán)，按其結(jié)

構(gòu)可分為普通基板、印制電路板、模塊基板等幾大類(lèi)。其中 PCB 在原有雙面板、多層板的基礎(chǔ)上，近年來(lái)又出現(xiàn)積層（build-up）多層板。模塊基板是指新興發(fā)展起來(lái)的可以搭載在 PCB之上，以 BGA、CSP、TAB、MCM 為代表的封裝基板（Package Substrate，簡(jiǎn)稱(chēng) PKG 基板）。小到芯片、電子元器件，大到電路系統(tǒng)、電子設(shè)備整機(jī)，都離不開(kāi)電子基板。近年來(lái)在電子基板中，高密度多層基板所占比例越來(lái)越大。

IRFZ44N可見(jiàn)隨著國(guó)外大型企業(yè)業(yè)務(wù)向國(guó)內(nèi)的延伸，ESD保護(hù)型的MOSFET在國(guó)內(nèi)已不屬罕見(jiàn)，但能成功制作高性能的ESD保護(hù)器件在國(guó)內(nèi)仍是個(gè)挑戰(zhàn)。所以不少?lài)?guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)都已經(jīng)涉及該方面，并取得了一定的成績(jī)，本文就是在一個(gè)簡(jiǎn)單器件的基礎(chǔ)上去增加ESD保護(hù)的功能。

替代IRFZ44N常見(jiàn)問(wèn)題
IRFZ44NOA失效（電流失效）：導(dǎo)體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過(guò)程中，由于MOS管上同時(shí)疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式?；蛘?，芯片、散熱器和封裝不能時(shí)達(dá)到熱平衡，導(dǎo)致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導(dǎo)致溫度超過(guò)由于熱擊穿模式而導(dǎo)致的氧化物層的極限。

OA失效的預(yù)防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)；OCP功能必須精確、詳細(xì)。

恒芯微專(zhuān)業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等20年，工廠直銷(xiāo)省20%,4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的，可以點(diǎn)擊右邊的工程師，或者點(diǎn)擊*給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：

1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。

另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品及滿(mǎn)足客戶(hù)需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶(hù)于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶(hù)、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代IRFZ44N應(yīng)用70V功率mos管封裝
IRFZ44N按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類(lèi)：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
IRFZ44N插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
IRFZ44N表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
IRFZ44N在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
IRFZ44N而不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類(lèi)電性參數(shù)等都會(huì)不一樣，而它們?cè)陔娐分兴芷鸬降淖饔靡矔?huì)不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來(lái)聊聊MOS管封裝的那些事。

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