替代IRFR5305-半導(dǎo)體mos開關(guān)管

替代IRFR5305應(yīng)用電動助力車mos開關(guān)管工藝
IRFR5305封裝工程：是封裝與實裝工程及基板技術(shù)的總和。即將半導(dǎo)體、電子元器件所具有的電子的、物理的功能，轉(zhuǎn)變?yōu)檫m用于機器或系統(tǒng)的形式，并使之為人類社會服務(wù)的科學(xué)技術(shù)，統(tǒng)稱為電子封裝工程。

IRFR5305在SGT MOSFET研究中存在的主要問題有以下兩點，一是目前絕大部分研究都采用計算機仿真程序來模擬得出研究結(jié)論，部分研究成果缺少器件物理層面的機理分析與理論解析，以至于影響對器件工作機理的深入理解；二是目前對SGT MOSFET

研究主要以元胞結(jié)構(gòu)為主，對終端部分的研究有所欠缺，另外部分結(jié)構(gòu)在實際工藝實現(xiàn)方面也存在一定的難度。

未來，SGT MOSFET研究的重點應(yīng)以目前的元胞結(jié)構(gòu)改進和性能優(yōu)化為基礎(chǔ)，進一步拓展到對器件終端區(qū)域結(jié)構(gòu)，并加強對器件在各類應(yīng)力下的可靠性和極限能力研究；隨著SGT MOSFET的特性和工藝的不斷改進優(yōu)化，未來SGT MOSFET有望同

200V-400V電壓段的平面技術(shù)和超結(jié)技術(shù)器件競爭并取得勝出。

替代IRFR5305常見問題
IRFR5305MOS 開關(guān)原理（簡要）。MOS 是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為 MOS 內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的導(dǎo)通電流（當然和其它因素有關(guān)，關(guān)的是熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱?。?。

IRFR5305MOS 問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），所以 MOS 源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。

然而，這三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨立的，如果獨立的就很簡單了。其中一個關(guān)鍵電容就是柵極和漏級間的電容 Cgd，這個電容業(yè)界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因為柵極給柵 - 源電容 Cgs 充電達到一個平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電，這時柵極和源級間電壓不再升高，達到一個平臺，這個是米勒平臺（米勒平臺就是給 Cgd 充電的過程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給 Cgs 充電，到達一定平臺后再給 Cgd 充電）

因為這個時候源級和漏級間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會導(dǎo)致 MOS 寄生電感產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成 2 個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。

Gs 極加電容，減慢 MOS 管導(dǎo)通時間，有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。

例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代IRFR5305應(yīng)用電動助力車mos開關(guān)管封裝
IRFR5305封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
IRFR5305TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

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