替代IRFB4110-半導(dǎo)體MOS管

替代IRFB4110應(yīng)用電鉆MOS管工藝
IRFB4110EPI SGT MOSFET的器件結(jié)構(gòu)示意圖和在相同總體EPI厚度下及相同反向耐壓下單層、雙層及三層EPI結(jié)構(gòu)器件內(nèi)部的電場(chǎng)

分布仿真曲線(xiàn)6,可以看出無(wú)論在相同的EPI厚度下，還是在相同的耐壓下，三層EPI SGT MOSFET結(jié)構(gòu)器件內(nèi)部電場(chǎng)峰值均小于雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)，且電場(chǎng)分布更加均勻。對(duì)于150V器件，在總體10um的EPI厚度下，三層EPI的反向擊穿電壓BV和R8分別達(dá)到164.5V和67.8mΩ·m㎡,BV比雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)分別提高了6.9%和25.6%,R比雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)分別降低了30.4%和62%.

IRFB4110在早期的研究中，人們把Trench MOS研究的焦點(diǎn)集中在擊穿電壓在50V以下的應(yīng)用上。主要關(guān)注Trench MOS的特征導(dǎo)通電阻。通過(guò)增加單胞密度，縮短溝道長(zhǎng)度，降低閾值電壓等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V傳統(tǒng)Trench MOS(阻下簡(jiǎn)稱(chēng)LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年傳統(tǒng)UMOS就得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，50V耐壓下原胞密度能達(dá)到580uΩ.c㎡7.隨著Trench MOS越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。柵電容也逐漸成為人們關(guān)注的又一個(gè)焦點(diǎn)。由于柵電容直接關(guān)系到器件的開(kāi)關(guān)速度，許多高頻的應(yīng)用希望Trench MOS的電容越低越好。但是，柵電容是隨著單胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征導(dǎo)通電阻是矛盾的。于是接著，許多研究就開(kāi)始集中在RDSON和Qgd乘積Fom值上。

替代IRFB4110常見(jiàn)問(wèn)題
IRFB4110MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOS管的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效，分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過(guò)大，損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。

雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOS管在電源板上由于母線(xiàn)電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是MOS管漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式。

雪崩破壞的預(yù)防措施：理降額使用。目前，行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點(diǎn)來(lái)選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計(jì)。大電流接線(xiàn)盡量采用大、小布置，以減小接線(xiàn)寄生電感。

選擇一個(gè)合理的門(mén)電阻Rg.在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。

冊(cè)極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過(guò)程中的靜電；電力系統(tǒng)運(yùn)行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；通過(guò)Gad傳檢到網(wǎng)

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：

1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。

另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品及滿(mǎn)足客戶(hù)需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶(hù)于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶(hù)、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)世界
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代IRFB4110應(yīng)用電鉆MOS管封裝
IRFB4110有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時(shí)引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品；也有些超薄設(shè)計(jì)需要將器件管腳折彎平放，這會(huì)加大MOS管選用的復(fù)雜度。

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