替代irf840-半導(dǎo)體mos管開關(guān)

替代irf840應(yīng)用無人機mos管開關(guān)工藝

irf840由于Trench MOSFET在業(yè)界備受青睞，各種Trench mosfer產(chǎn)品應(yīng)運而生，不少國內(nèi)企業(yè)也已經(jīng)涉及該領(lǐng)域。所以能否開發(fā)出適合的Trench MOS的適用化工藝，在滿足器什指標要求的前提下，設(shè)計出最簡化的工藝流程，盡可能的降低生產(chǎn)成

本具有重要意義。本文的主要工作就是開發(fā)設(shè)計一種ESD保護型的20V N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品。按照低壓功率溝槽MOSFET設(shè)計的基本流程，植入ESD保護功能，并利用工藝模擬軟件和器件模擬軟件，分析結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)對器件性能的影響，以及柵電極ESD保護單元的模擬特性，通過流片驗證，封裝測試等工作，最終找到符合設(shè)計要求的條件。

替代irf840常見問題
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。

比如一個 MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時電流已達大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個 MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。

如果開通時間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。

這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。

其實整個 MOS 開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多?？傊褪情_關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。

所以這個很考驗設(shè)計師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。

例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個點：

1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代irf840應(yīng)用無人機mos管開關(guān)封裝
irf840插入式封裝
irf840表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。



需要了解更多關(guān)于替代irf840應(yīng)用無人機mos管開關(guān)信息，請聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-替代irf840應(yīng)用無人機mos管開關(guān)