替代IRF4905-半導(dǎo)體mos管的參數(shù)

替代IRF4905應(yīng)用移動(dòng)電源mos管的參數(shù)工藝
IRF4905對于trenchmos，需要其導(dǎo)通電阻盡可能小，現(xiàn)有主要通過減小溝道電阻的方式來減小trenchmos的導(dǎo)通電阻，具體地，通過減小body結(jié)深以減小溝道長度，而減小溝道長度會(huì)使得body結(jié)深變淺，從而影響器件的反向漏電性能，反向漏電變大則會(huì)增加器件的關(guān)斷損耗，因此會(huì)影響器件的可靠性。

IRF4905在高截止電壓的 VD MOSFET 中，通態(tài)電阻的 95%由 N-外延區(qū)的電阻決定，因此，為了降低通態(tài)電阻，人們想了種種辦法來降低 N-外延區(qū)的電阻，有兩種辦法得到應(yīng)用，這就是 Super Junction MOSFET 和溝槽柵 Trench MOSFET。

VD MOSFET 的外延層對總的導(dǎo)通電阻起主導(dǎo)作用，要想保證高壓功率MOSFET 具有足夠的擊穿電壓，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時(shí)，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓等級。同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜 N+區(qū)，作為功率 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述要求。SJ MOSFET 則是兩個(gè)垂直 P 阱條之間的垂直高摻雜 N+擴(kuò)散區(qū)域?yàn)殡娮犹峁┝说妥柰?，從而降低通態(tài)電阻。較低濃度的兩個(gè)垂直 P 阱條主要是為了耐壓而設(shè)計(jì)，SJ MOSFET的通態(tài)電阻為普通 VD MOSFET 的 1/5，開關(guān)損耗減為普通 VD MOSFET 的 1/2， 但 SJ MOSFET 固有的反向恢復(fù)特性不佳。垂直導(dǎo)電 N+區(qū)夾在兩邊的 P 區(qū)中間，當(dāng) MOS 關(guān)斷時(shí)，形成兩個(gè)反向偏置的 PN 結(jié)：P 和垂直導(dǎo)電 N+、P+和外延 epi 層 N-。柵極下面的的 P 區(qū)不能形成反型層產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，P 和垂直導(dǎo)電 N+形成 PN 結(jié)反向偏置，PN 結(jié)耗盡層增大，并建立橫向水平電場；同時(shí)，P+和外延層 N-形成 PN 結(jié)也是反向偏置形，產(chǎn)生寬的耗盡層，并建立垂直電場。由于垂直導(dǎo)電 N+區(qū)摻雜濃度高于外延區(qū) N-的摻雜濃度，而且垂直導(dǎo)電 N+區(qū)兩邊都產(chǎn)生橫向水平電場，這樣垂直導(dǎo)電的 N+區(qū)整個(gè)區(qū)域基本上全部都變成耗盡層，即由 N+變?yōu)?N-，這樣的耗盡層具有非常高的縱向的阻斷電壓，因此，器件的耐壓就取決于高摻雜 P+區(qū)與低摻雜外延層 N-區(qū)的耐壓。

替代IRF4905常見問題
IRF4905皆振失效：功率MOS管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。

漏源電壓在高速下反復(fù)接通和斷開時(shí)，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構(gòu)成的諧振電路中。

建立共振條件（ωL=1/ωC)時(shí)，在柵極和源極之間施加遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關(guān)時(shí)的振動(dòng)電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。

皆振失效預(yù)防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個(gè)小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅(qū)動(dòng)電路的阻抗匹配和功率管開關(guān)時(shí)間的周整。

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：

1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
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