替代FDD8880-半導體芯片mos管

替代FDD8880應用角磨機芯片mos管工藝
FDD8880SGT-MOSFET 與 U-MOSFET 器件結構不同之處在其深溝槽的柵結構上。U-MOSFET 溝槽結構僅有一個多晶硅的控制柵電極;SGT-MOSFET 的溝槽結構由兩個多晶硅部分組成：上半部分是控制柵電極，下半部分是屏蔽電極，如圖 2 所示。屏蔽電極位于柵電極下方。柵電極通過柵電極絕緣介質層絕緣，屏蔽電極則通過屏蔽電極絕緣介質層絕緣，但屏蔽電極絕緣介質層的厚度要厚于柵電極絕緣介質層。此外柵電極和屏蔽電極之間通過中間介質層絕緣。
FDD8880后道工序是從由硅圓片分切好的一個一個的芯片入手，進行裝片、固定、鍵合聯(lián)接、塑料灌封、引出接線端子、按印檢查等工序，完成作為器件、部件的封裝體，以確保元器件的可靠性，并便于與外電路聯(lián)接。


替代FDD8880常見問題
FDD8880MOS 開關原理（簡要）。MOS 是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為 MOS 內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的大導通電流（當然和其它因素有關，有關的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱?。?br/>FDD8880MOS 問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），所以 MOS 源級和漏級間由截止到導通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。
然而，這三個等效電容是構成串并聯(lián)組合關系，它們相互影響，并不是獨立的，如果獨立的就很簡單了。其中一個關鍵電容就是柵極和漏級間的電容 Cgd，這個電容業(yè)界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因為柵極給柵 - 源電容 Cgs 充電達到一個平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電，這時柵極和源級間電壓不再升高，達到一個平臺，這個是米勒平臺（米勒平臺就是給 Cgd 充電的過程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給 Cgs 充電，到達一定平臺后再給 Cgd 充電）
因為這個時候源級和漏級間電壓迅速變化，內部電容相應迅速充放電，這些電流脈沖會導致 MOS 寄生電感產生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成 2 個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。
Gs 極加電容，減慢 MOS 管導通時間，有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代FDD8880應用角磨機芯片mos管封裝
FDD8880有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產品；也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。

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