替代FDD8874-半導(dǎo)體低壓mos管

替代FDD8874應(yīng)用無(wú)人機(jī)低壓mos管工藝
FDD8874VD MOSFET 的柵極結(jié)構(gòu)為平面式，當(dāng) Vgs 足夠大時(shí)，兩個(gè)源極之間會(huì)形成N 型導(dǎo)電溝道，使漏源極之間有電流流過(guò)。柵極和源極在硅片的上表面，而漏極連接到襯底的下表面，源極和漏極在晶圓的相對(duì)平面，當(dāng)電流從漏極流向源極時(shí)電流在硅片內(nèi)部垂直流動(dòng)，因此可以充分應(yīng)用硅片的面積，來(lái)提高通過(guò)電流的能力，適用于功率 MOSFET 的應(yīng)用。N 溝道 MOSFET 襯底為高摻雜的 N+襯底，高摻雜部分的體電阻小，然后上面為 N-epi 層，上面有兩個(gè)連續(xù)的擴(kuò)散區(qū) P-，溝道在 P-區(qū)形成，在 P-區(qū)內(nèi)部擴(kuò)散形成 N+為源極，硅片表面形成柵極氧化物，多晶硅柵極材料沉積后，在連接到柵極的多晶硅層下面，就形成一個(gè)薄的高質(zhì)量氧化層從而產(chǎn)生溝道。
FDD8874對(duì)于100V-200V電壓段的高壓SGT MOSFET,常規(guī)結(jié)構(gòu)是在屏蔽柵溝槽的底部引入相對(duì)于頂層更高電阻率的外延層來(lái)承受反向電壓，為了優(yōu)化該高阻區(qū)域?qū).的影響，一種在屏蔽柵溝槽下方引入dson浮空P區(qū)域的SGT MOSFET結(jié)構(gòu)被提出和研究，為該結(jié)構(gòu)示意圖15.這種浮空P區(qū)域可以通過(guò)溝槽刻蝕及填充，多層掩埋外延層或者溝槽底部MeV量級(jí)的P型注入來(lái)實(shí)現(xiàn)，在SGT MOSFET屏蔽溝槽底部的漂移區(qū)中形成類(lèi)似于超結(jié)的NP柱交替摻雜結(jié)構(gòu)，可以將常規(guī)結(jié)構(gòu)屏蔽溝槽下方的漂移區(qū)濃度提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，因而可以大大減小器件R.此dson O外，這種結(jié)構(gòu)可以在常規(guī) SGT MOSFET(頂部）和SJ狀結(jié)構(gòu)（底部）之間分配反向電壓，由于MOS區(qū)域和p-n結(jié)彼此獨(dú)立，器件內(nèi)的反向電壓在兩者的分配比例比是可調(diào)的，可以通過(guò)減小屏蔽溝槽的深度來(lái)減少Coss和常規(guī)SGT MOSFET在高電壓下的電場(chǎng)不均勻性。這種結(jié)構(gòu)針對(duì)SGT MOSFET不同電壓節(jié)點(diǎn)以及特定應(yīng)用的R－Coss取得了良好的折衷優(yōu)化。dson相對(duì)于常規(guī)結(jié)構(gòu)SGT MOSFET,即使在MHz的高頻應(yīng)用場(chǎng)合下器件R的降幅仍然達(dá)到了30%以上。dson由于浮空P區(qū)域在高頻下存在未耗盡的情況，該結(jié)構(gòu)在40-90V范圍內(nèi)存在C.較常規(guī)結(jié)構(gòu)增大的OSS情況，但總體而言，端情況下該結(jié)構(gòu)仍能將動(dòng)態(tài)R＊降低17%以上。OdsonOSS在SGT MOSFET 新的研究結(jié)果中，一種提高
高壓SGT比導(dǎo)通電阻的三層epi結(jié)構(gòu) SGT MOSFET被提出和研究16.在雙層EPI結(jié)構(gòu)中，頂層EPI和底層EPI的作用分別是調(diào)整器件電場(chǎng)分布、降低Ldson和支撐反向電壓；三層EPI結(jié)構(gòu)中頂層與底層EPI的作用與雙層EPI結(jié)構(gòu)相同，此外可以中間更低的
電阻率的EPI層調(diào)整兩個(gè)溝槽之間的電場(chǎng)分布，達(dá)到降低器件Rp的作用。


替代FDD8874常見(jiàn)問(wèn)題
過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)從而增加開(kāi)關(guān)損耗。MOS 開(kāi)通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程。
比如一個(gè) MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開(kāi)通過(guò)程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時(shí)電流已達(dá)，負(fù)載尚未跑起來(lái)，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時(shí)功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個(gè) MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開(kāi)關(guān)過(guò)程中這個(gè)發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開(kāi)通時(shí)間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過(guò)渡的慢，MOS 結(jié)溫會(huì)升高的厲害。所以開(kāi)關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開(kāi)關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開(kāi)關(guān)損耗不一樣（開(kāi)關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒(méi)任何關(guān)系。
其實(shí)整個(gè) MOS 開(kāi)通過(guò)程非常復(fù)雜。里面變量太多?？傊褪情_(kāi)關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開(kāi)關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開(kāi)關(guān)速度快理論上開(kāi)關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很?chē)?yán)重，可能在米勒平臺(tái)就燒管子了），反而開(kāi)關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個(gè)很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動(dòng)電路布線和主回路布線技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)（一般開(kāi)通過(guò)程不超過(guò) 1us）。開(kāi)通損耗這個(gè)，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代FDD8874應(yīng)用無(wú)人機(jī)低壓mos管封裝
FDD8874插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）
FDD8874PGA（Pin Grid Array Package）芯片內(nèi)外有多個(gè)方陣形的插針，每個(gè)方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據(jù)管腳數(shù)目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時(shí)，將芯片插入專(zhuān)門(mén)的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢(shì)，能適應(yīng)更高的頻率。



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