替代FDD6680-半導體MOSFET

替代FDD6680應用代步車MOSFET工藝
FDD6680VU MOSFET（Vertical U-groove MOSFET）為了改善 V 型槽頂端的電場尖峰和電流集中效應，研究人員又發(fā)明了 VU
MOSFET，VU MOSFET 與 VV MOSFET 一致同樣采用各向異性刻蝕工藝挖 U 槽。VU MOSFET 特點：解決了 VV MOSFET 放電問題，提高擊穿電壓；溝道垂直，元胞可做得更小，元胞數增加。但其工藝穩(wěn)定性不佳。
FDD6680和屏蔽柵極與控制柵極極間介質層來優(yōu)化SGTMOSFET的柵電荷Qg,如圖8b所示，這種SGTMOSFET結構通過采用淀積較薄的控制柵極多晶硅，然后進行Spacer刻蝕，形成兩條分立的窄條狀控制柵極結，并且在屏蔽柵極與控制柵極之間形成低k介質層（low-k dielectric layer,LDL).一方面，與常規(guī)SGTMOSFET相比，該結構減小了常規(guī)結構中控制柵極的體積，降低了器件的柵電荷Qg;另一方面在控制柵極與屏蔽柵極采用了低介電常數的極間介質，相較于常規(guī)結構，在不影響器件導通電阻Rdson和擊穿電壓BV的前提下大大降低了器件的柵源電容Cgs,進一步提高了器件的動態(tài)特性。


替代FDD6680常見問題
FDD6680本二級管故障：不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結合自身電路來分析。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代FDD6680應用代步車MOSFET封裝
FDD6680小外形封裝（SOP）
FDD6680SOP（Small Out-Line Package）是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。
FDD6680SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數字表示引腳數。MOSFET的SOP封裝多數采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，簡寫為SO（Small Out-Line）。
FDD6680SOP-8封裝尺寸
FDD6680SO-8為PHILIP公司開發(fā)，采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
FDD6680后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標準規(guī)格；其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
FDD6680常用于MOS管的SOP派生規(guī)格

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