替代AP60N03-半導(dǎo)體場效應(yīng)管

替代AP60N03應(yīng)用手電鉆場效應(yīng)管工藝
AP60N031 ) 晶粒切割， Wafer Sawing.使用高速旋轉(zhuǎn)的切割刀，把晶圓上的晶粒切割分離開來.2) 晶粒黏貼， Die Attach.銀膠把晶粒黏貼到導(dǎo)線框架的預(yù)定位置上.3) 焊線， Wire Bond.在晶粒的焊點(diǎn)和引腳框架的引腳之間，焊接上金屬細(xì)線，建立晶粒電路與外部的連接.4）封塑， Molding.把黏有晶粒，熔好線的引腳樞架放置到壓鑄模具中，再把熔融的樹脂塑料壓入模中，把整個(gè)晶粒按封裝要求被包裹起來.5) 切割成型，Trim and Form.將引腳框架多余的連接材料切除掉，并根據(jù)產(chǎn)品的封裝形式，把引腳塑造成需要的形狀。6) 最終測試，F(xiàn)inal Test.測試產(chǎn)品的性能是否符合要求.通過測試的產(chǎn)品被認(rèn)為是合格產(chǎn)
AP60N03實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,提高犧牲氧化工藝溫度和氧化層厚度可以改善器件的擊穿電壓,減小柵極泄露電流。優(yōu)化犧牲氧化工藝溫度和氧化層厚度將溝槽制造成上寬下窄的倒梯形結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)溝槽多晶硅的無縫填充,提高器件可靠性。 溝槽MOSFET柵極多晶硅工藝優(yōu)化研究：研究了不同溫度下淀積的多晶硅厚度均勻性。實(shí)驗(yàn)表明,540℃下淀積的多晶硅片內(nèi)均勻性好,可有效解決多晶硅刻蝕過程中的過刻蝕和多晶硅殘留的問題。而多晶硅電阻率與摻雜工藝的實(shí)驗(yàn)表明,采用磷烷分解伴隨多晶硅淀積進(jìn)行摻雜的工藝,可獲得電阻率低和摻雜均勻性的多晶硅。論文最后還研究了分裂柵結(jié)構(gòu)對溝槽MOSFET柵漏電荷的優(yōu)化,芯片測試數(shù)據(jù)證明采用分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET可將器件柵漏電荷密度降低67%,大幅提升器件工作頻率。

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AP60N03應(yīng)用手電鉆場效應(yīng)管封裝
AP60N03按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AP60N03插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AP60N03表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AP60N03在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
AP60N03而不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。



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