替代AP20N15GH-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

替代AP20N15GH應(yīng)用霧化器場(chǎng)效應(yīng)管工藝
AP20N15GHTrench MOSFET的發(fā)展：功率MOSFET的發(fā)展過(guò)程基本上是在保留和發(fā)揮MOS器件本身特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，努力提高功率（即增大器件工作電壓和電流）的過(guò)程。但是，由于沒有類似雙極器件少子注入產(chǎn)生的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，隨著器件擊穿電壓的增大（大于200V),其導(dǎo)通電阻也隨著急劇增大，這極大地限制了功率MOS擊穿電壓的提高，同時(shí)也限制了它在高壓系統(tǒng)中的使用。功率MOSFET發(fā)展先后經(jīng)歷了L-DMOS(橫向平面雙擴(kuò)散），VVMOS(V型槽），VUMOS(U型槽）及平面VDMOS(縱向平面雙擴(kuò)散）再到Trench柵（槽柵）等結(jié)構(gòu)演化過(guò)程，如圖1-2所示。其中，L-DMOS結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作工藝也較為簡(jiǎn)單，但其主要缺點(diǎn)就是芯片面積的利用率不高，由于其擴(kuò)散區(qū)和溝道區(qū)都在晶圓的表面形成，對(duì)晶圓面積造成嚴(yán)重的浪費(fèi)，于是接下來(lái)VVMOS出現(xiàn)了，VVMOS可以將漏極做在晶圓背面，這樣擴(kuò)散區(qū)和溝道區(qū)都在豎直方向上，芯片集成度顯著提高。但VVMOS的V型尖刺很容易造成電場(chǎng)線的集聚而使擊穿電壓降低，為了克服這種缺陷，UVMOS產(chǎn)生了，人們把柵極做成U型以防止電場(chǎng)的集聚，但由于晶向原因使UVMOS在腐蝕工藝實(shí)現(xiàn)上較為困難，接下來(lái)人們干脆將柵極做成平的，也就出現(xiàn)了VDMOS,VDMOS是功率MOS結(jié)構(gòu)上的一次重大變革，對(duì)功率MOSFET的發(fā)展起了關(guān)鍵性的推動(dòng)作用。
AP20N15GH在國(guó)內(nèi)，雖然有不少公司已經(jīng)涉及該領(lǐng)域，并有Trench MOSFET問(wèn)世，特別是在低壓低功率方面。但有關(guān)Trench MOS的研究和制作畢竟還處于剛剛起步的狀態(tài)，許多技術(shù)和工藝還是空白，研究和制作Trench MOS是很有意義的。
ESD保護(hù)柵結(jié)構(gòu)的功率 MOSFET 發(fā)展現(xiàn)狀：低壓溝槽MOSFET器件通常被當(dāng)做電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同步整流等方面的電壓驅(qū)動(dòng)功
率開關(guān)使用，其工作方式不同于一般電路的工作情況，器件既要防止靜電造成柵氧化層的擊穿，同時(shí)還要防止應(yīng)用系統(tǒng)產(chǎn)生的過(guò)電壓施加到功率MOSFET的柵極上，帶來(lái)功率器件的損壞。因此，功率MOSFET的器件設(shè)計(jì)，除了要考慮器件的抗雪崩能力之外，還需努力提高功率MOSFET的抗靜電能力和抗過(guò)電壓能力。


替代AP20N15GH常見問(wèn)題
AP20N15GH靜電分析：靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場(chǎng)，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。這三種情況對(duì)電子元件有以下影響：亥元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。于電場(chǎng)或電流的作用，元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞，使元件不能工作（*損壞）。于電場(chǎng)的瞬時(shí)軟擊穿或電流過(guò)熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施：OS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時(shí)的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬時(shí)輸入電流（大于10mA)時(shí)，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。在焊接過(guò)程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí)，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AP20N15GH應(yīng)用霧化器場(chǎng)效應(yīng)管封裝
AP20N15GH封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
AP20N15GHTO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時(shí)代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。



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