替代AP0203GMT-半導(dǎo)體碳化硅mos管

替代AP0203GMT應(yīng)用電動助力車碳化硅mos管工藝
AP0203GMT封裝的基本定義和內(nèi)涵
封裝（packaging，PKG）：主要是在半導(dǎo)體制造的后道工程中完成的。即利用膜技術(shù)及微細連接技術(shù)，將半導(dǎo)體元器件及其他構(gòu)成要素在框架或基板上布置、固定及連接，引出接線端子，并通過塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體主體結(jié)構(gòu)的工藝。
AP0203GMT二級封裝二級封裝集成電路（IC 元件或 IC 塊）片在封裝基板（普通基板、多層基板、HDI 基板）上的封裝，構(gòu)成板或卡。即各種實裝方式（二級封裝或一級加二級封裝）。后續(xù)談到的的 DIP、PGA 屬于 DIP 封型，GFP、BGA、CSP 等屬于 SMT 實裝型，這些都屬于二級封裝。三級封裝三級封裝包含 4、5、6 三個層次。即將多個完成層次 3 的板或卡，通過其上的插接
端子搭載在稱為母板（或載板）的大型 PCB 板上，構(gòu)成單元組件（此層次也是實裝方式之一）；或是將多個單元構(gòu)成架，單元與單元之間用布線（剛撓 PCB）或電纜相連接；或是將多個架并排，架與架之間由布線（剛撓 PCB）或電纜相連接，由此構(gòu)成大型電子設(shè)備或系統(tǒng)（此兩個層次稱為裝聯(lián)）。

替代AP0203GMT常見問題
AP0203GMTJ極電壓失效的預(yù)防措施：冊極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。
非水管之間的過電壓保護：如果電路中存在電感負載，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時，漏極電流（di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào)，這遠遠高于電源電壓，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護措施。


例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AP0203GMT應(yīng)用電動助力車碳化硅mos管封裝
AP0203GMT四邊無引線扁平封裝（QFN）
AP0203GMTQFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點；其中陶瓷QFN也稱為LCC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
AP0203GMT是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。
AP0203GMTQFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會采用。不過因Intel提出整合驅(qū)動與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝（“56”指芯片背面有56個連接Pin）的DrMOS。
AP0203GMT需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據(jù)QFN建模數(shù)據(jù)，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。大的缺點則是返修難度高。
AP0203GMT采用QFN-56封裝的DrMOS
AP0203GMT隨著技術(shù)的革新與進步，把驅(qū)動器和MOSFET整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實，這種整合方式同時可以節(jié)省相當(dāng)可觀的空間從而提升功耗密度，通過對驅(qū)動器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動IC的DrMOS。



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