替代AOT298-半導(dǎo)體芯片mos管

替代AOT298應(yīng)用4串芯片mos管工藝
AOT298Trench MOSFET的發(fā)展：功率MOSFET的發(fā)展過程基本上是在保留和發(fā)揮MOS器件本身特點的基礎(chǔ)上，努力提高功率（即增大器件工作電壓和電流）的過程。但是，由于沒有類似雙極器件少子注入產(chǎn)生的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，隨著器件擊穿電壓的增大（大于200V),其導(dǎo)通電阻也隨著急劇增大，這極大地限制了功率MOS擊穿電壓的提高，同時也限制了它在高壓系統(tǒng)中的使用。功率MOSFET發(fā)展先后經(jīng)歷了L-DMOS(橫向平面雙擴散），VVMOS(V型槽），VUMOS(U型槽）及平面VDMOS(縱向平面雙擴散）再到Trench柵（槽柵）等結(jié)構(gòu)演化過程，如圖1-2所示。其中，L-DMOS結(jié)構(gòu)簡單，制作工藝也較為簡單，但其主要缺點就是芯片面積的利用率不高，由于其擴散區(qū)和溝道區(qū)都在晶圓的表面形成，對晶圓面積造成嚴重的浪費，于是接下來VVMOS出現(xiàn)了，VVMOS可以將漏極做在晶圓背面，這樣擴散區(qū)和溝道區(qū)都在豎直方向上，芯片集成度顯著提高。但VVMOS的V型尖刺很容易造成電場線的集聚而使擊穿電壓降低，為了克服這種缺陷，UVMOS產(chǎn)生了，人們把柵極做成U型以防止電場的集聚，但由于晶向原因使UVMOS在腐蝕工藝實現(xiàn)上較為困難，接下來人們干脆將柵極做成平的，也就出現(xiàn)了VDMOS,VDMOS是功率MOS結(jié)構(gòu)上的一次重大變革，對功率MOSFET的發(fā)展起了關(guān)鍵性的推動作用。
AOT298通常認為，半導(dǎo)體封裝主要有電氣特性的保持、芯片保護、應(yīng)力緩和及尺寸調(diào)整配合四大功能，它的作用是實現(xiàn)和保持從集成電路器件到系統(tǒng)之間的連接，包括電學(xué)連接和物理連接。目前，集成電路芯片的 I/0 線越來越多，它們的電源供應(yīng)和信號傳送都是要通過封裝來實現(xiàn)與系統(tǒng)的連接。芯片的速度越來越快，功率也越來越大，使得芯片的散熱問題日趨嚴重，由
于芯片鈍化層質(zhì)量的提高，封裝用以保護電路功能的作用其重要性正在下降。

替代AOT298常見問題
AOT298本二級管故障：不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結(jié)合自身電路來分析。


例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOT298應(yīng)用4串芯片mos管封裝
AOT298按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AOT298插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AOT298表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AOT298在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用，同時還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
AOT298而不同的封裝、不同的設(shè)計，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。



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