替代AOT210L-半導(dǎo)體mos開關(guān)管

替代AOT210L應(yīng)用11串mos開關(guān)管工藝
AOT210Ltrenchmos是在vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，和vdmos相比，trenchmos具有更低的導(dǎo)通電阻和柵漏電荷密度，因此具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗和更快的開關(guān)速度。
AOT210L此后人們對SGT MOSFET的特性做了大量深入的研究，并提出了諸多改進(jìn)的新結(jié)構(gòu)。Hossain等人對SGT MOSFET的BVDSS和雪崩不穩(wěn)定性做了研究，發(fā)現(xiàn)SGT雪崩過程中的高漏－源電壓會增加溝槽底部拐角處的峰值電場，從而產(chǎn)生電子－空穴對。電子－空穴對中空穴趨向于向較低電勢點移動，因屏蔽柵極接地，隨著時間的推移，雪崩會增加屏蔽柵極氧化物場板的電勢，由于這種電勢的變化導(dǎo)致了器件元胞結(jié)構(gòu)與終端之間過渡區(qū)復(fù)雜的三維耗盡結(jié)構(gòu)中電荷平衡狀態(tài)的變化，產(chǎn)生未耗盡或者過耗盡，進(jìn)而引起擊穿電壓walk-in及walk-out的現(xiàn)象，即對器件進(jìn)行連續(xù)兩次漏－源擊穿電壓測試中，BVDSS第二次測量值相對于次測量值存在減小或者增大的情況。這種擊穿電壓的不穩(wěn)定性可以通過改進(jìn)器件layout得以避免，實驗顯示當(dāng)有源區(qū)溝槽與終端溝槽的間距為0.75倍的溝槽間距時BVDSS穩(wěn)定，不存在walk-in及walk-out現(xiàn)象6;Wang Ying等人提出在 Split-Gate RSO MOS結(jié)構(gòu)的屏蔽柵極氧化層上部引入Si3N4材料，通過SiO2和SiN4不同介電常數(shù)k值的復(fù)合屏蔽柵極介質(zhì)層
結(jié)構(gòu)，調(diào)制器件縱向電場分布，相較于常規(guī)單一屏蔽柵介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，復(fù)合屏蔽柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)材料在不同k值的交界面處產(chǎn)生一個縱向電場峰值，通過調(diào)節(jié)合理的k值可以獲得優(yōu)化的漂移區(qū)摻雜濃度，提高器件BVDSS的同時將器件Rsp值降低20%以上8;
此外，倒三角形和梯形等不規(guī)則屏蔽柵極、NP交替摻雜的Body區(qū)等SGT結(jié)構(gòu)也被提出和研究8,此類結(jié)構(gòu)主要是針對器件某一方面特性的優(yōu)化，器件制作工藝流程復(fù)雜，受限于特定領(lǐng)域應(yīng)用。


替代AOT210L常見問題
AOT210LJ極電壓失效的預(yù)防措施：冊極和源極之間的過電壓保護(hù)：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。
非水管之間的過電壓保護(hù)：如果電路中存在電感負(fù)載，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時，漏極電流（di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào)，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電源電壓，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護(hù)措施。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團(tuán)隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(jī)(個人計算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOT210L應(yīng)用11串mos開關(guān)管封裝
AOT210L封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
AOT210LTO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

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