替代AON7516-半導體碳化硅mos管

替代AON7516應用藍牙耳機碳化硅mos管工藝
AON7516封裝最基本的功能是保護電路芯片免受周圍環(huán)境的影響（包括物理、化學的影響）。所以，在最初的微電子封裝中，是用金屬罐（Metal Can）作為外殼，用與外界*隔離的、氣密的方法，來保護脆弱的電子元件。但是，隨著集成電路技術的發(fā)展，尤其是芯片鈍化層技術的不斷改進，封裝的功能也在慢慢異化。一般來說顧客所需要的并不是芯片，而是由芯片和 PKG 構成的半導體器件。PKG 是半導體器件的外緣，是芯片與實裝基板間的界面。因此無論 PKG 的形式如何，封裝最主要的功能
應是芯片電氣特性的保持功能。
AON7516LD MOSFET 柵極、源極、漏極都在硅片的上表面，下部為襯底，當 Gate 處于適當正電位時，其二氧化硅層下面的晶體表面區(qū)由 P 型變?yōu)?N 型（反型層），形成 N 型橫向導電溝道，電流從漏極流向源極。為提高功率能力，要求有很高的溝道寬長比 W/L，而平面水平溝道 L 不能太小，所以只能增大芯片面積，因而該工藝 MOSFET 一直停留在幾十伏電壓，幾十毫安電流的水平。


替代AON7516常見問題
過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。
比如一個 MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時電流已達大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設這個 MOS 導通內阻 3 毫歐姆）。開關過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結溫會升高的厲害。所以開關越慢，結溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關損耗不一樣（開關損耗和電池端電壓基本成正比，假設限流一樣），導通損耗*受 MOS 內阻決定，和電池電壓沒任何關系。
其實整個 MOS 開通過程非常復雜。里面變量太多?？傊褪情_關慢不容易米勒震蕩，但開關損耗大，管子發(fā)熱大，開關速度快理論上開關損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗設計師的驅動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導通電阻成正比，想大電流低損耗找內阻低的。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON7516應用藍牙耳機碳化硅mos管封裝
AON7516小外形晶體管封裝（SOT）
AON7516SOT（Small Out-Line Transistor）是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25（即SOT23-5）等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26（即SOT23-6）等類型，體積比TO封裝小。



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