替代AON7502-半導(dǎo)體mos管廠家

替代AON7502應(yīng)用30Vmos管廠家工藝
AON7502Trench MOSFET的工作原理當(dāng)柵極與源極之間電壓小于閾值電壓（即Vos<VrH),靠近柵極區(qū)的溝道未反型，此時(shí)加一正偏漏源電壓，P型基區(qū)與N型漂移區(qū)之間的PN結(jié)反偏，由于P基區(qū)具有較高的摻雜濃度，耗盡層主要向N型漂移區(qū)擴(kuò)展。漏源之間無電流流過；當(dāng)柵源電壓逐漸增大到大于器件的閾值電壓時(shí)（即VGs>VTH),垂直溝道表面形成強(qiáng)反型層，即電子溝道。在漏源電壓（VDs)的驅(qū)動(dòng)下，源區(qū)電子經(jīng)外延層漂移至襯底漏極，形成電流?？梢姰?dāng)VGs電壓未達(dá)到VTH時(shí)，垂直方向上不存在導(dǎo)電溝道，漏極與源極之間是一個(gè)反偏PN結(jié)［12-13].耗盡，層主要擴(kuò)展在外延層一側(cè)，理論擊穿電壓值可以由外延的濃度和厚度決定。
AON7502對于100V-200V電壓段的高壓SGT MOSFET,常規(guī)結(jié)構(gòu)是在屏蔽柵溝槽的底部引入相對于頂層更高電阻率的外延層來承受反向電壓，為了優(yōu)化該高阻區(qū)域?qū).的影響，一種在屏蔽柵溝槽下方引入dson浮空P區(qū)域的SGT MOSFET結(jié)構(gòu)被提出和研究，為該結(jié)構(gòu)示意圖15.這種浮空P區(qū)域可以通過溝槽刻蝕及填充，多層掩埋外延層或者溝槽底部MeV量級的P型注入來實(shí)現(xiàn)，在SGT MOSFET屏蔽溝槽底部的漂移區(qū)中形成類似于超結(jié)的NP柱交替摻雜結(jié)構(gòu)，可以將常規(guī)結(jié)構(gòu)屏蔽溝槽下方的漂移區(qū)濃度提高一個(gè)數(shù)量級，因而可以大大減小器件R.此dson O外，這種結(jié)構(gòu)可以在常規(guī) SGT MOSFET(頂部）和SJ狀結(jié)構(gòu)（底部）之間分配反向電壓，由于MOS區(qū)域和p-n結(jié)彼此獨(dú)立，器件內(nèi)的反向電壓在兩者的分配比例比是可調(diào)的，可以通過減小屏蔽溝槽的深度來減少Coss和常規(guī)SGT MOSFET在高電壓下的電場不均勻性。這種結(jié)構(gòu)針對SGT MOSFET不同電壓節(jié)點(diǎn)以及特定應(yīng)用的R－Coss取得了良好的折衷優(yōu)化。dson相對于常規(guī)結(jié)構(gòu)SGT MOSFET,即使在MHz的高頻應(yīng)用場合下器件R的降幅仍然達(dá)到了30%以上。dson由于浮空P區(qū)域在高頻下存在未耗盡的情況，該結(jié)構(gòu)在40-90V范圍內(nèi)存在C.較常規(guī)結(jié)構(gòu)增大的OSS情況，但總體而言，端情況下該結(jié)構(gòu)仍能將動(dòng)態(tài)R＊降低17%以上。OdsonOSS在SGT MOSFET 新的研究結(jié)果中，一種提高
高壓SGT比導(dǎo)通電阻的三層epi結(jié)構(gòu) SGT MOSFET被提出和研究16.在雙層EPI結(jié)構(gòu)中，頂層EPI和底層EPI的作用分別是調(diào)整器件電場分布、降低Ldson和支撐反向電壓；三層EPI結(jié)構(gòu)中頂層與底層EPI的作用與雙層EPI結(jié)構(gòu)相同，此外可以中間更低的
電阻率的EPI層調(diào)整兩個(gè)溝槽之間的電場分布，達(dá)到降低器件Rp的作用。


替代AON7502常見問題
AON7502J極電壓失效的預(yù)防措施：冊極和源極之間的過電壓保護(hù)：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯(cuò)誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)阻尼電阻或一個(gè)穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。
非水管之間的過電壓保護(hù)：如果電路中存在電感負(fù)載，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，漏極電流（di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào)，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電源電壓，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護(hù)措施。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON7502應(yīng)用30Vmos管廠家封裝
AON7502按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AON7502插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AON7502表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AON7502在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
AON7502而不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。



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