替代AON7406-半導(dǎo)體mos管開關(guān)

替代AON7406應(yīng)用藍牙音箱mos管開關(guān)工藝
AON7406通常認為，半導(dǎo)體封裝主要有電氣特性的保持、芯片保護、應(yīng)力緩和及尺寸調(diào)整配合四大功能，它的作用是實現(xiàn)和保持從集成電路器件到系統(tǒng)之間的連接，包括電學(xué)連接和物理連接。目前，集成電路芯片的 I/0 線越來越多，它們的電源供應(yīng)和信號傳送都是要通過封裝來實現(xiàn)與系統(tǒng)的連接。芯片的速度越來越快，功率也越來越大，使得芯片的散熱問題日趨嚴(yán)重，由
于芯片鈍化層質(zhì)量的提高，封裝用以保護電路功能的作用其重要性正在下降。
AON7406激光打印激光打印是用激光射線的方式在塑封膠表面打印標(biāo)識和數(shù)碼。包括制造商的信息，器件代碼，封裝日期，可以作為識別和可追溯性。


替代AON7406常見問題
AON7406靜電分析：靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。這三種情況對電子元件有以下影響：亥元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。于電場或電流的作用，元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞，使元件不能工作（*損壞）。于電場的瞬時軟擊穿或電流過熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施：OS電路輸入端的保護二極管在通電時的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過大的瞬時輸入電流（大于10mA)時，輸入保護電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。


例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON7406應(yīng)用藍牙音箱mos管開關(guān)封裝
AON7406采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導(dǎo)、開關(guān)和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實現(xiàn)不同的工作模式，支持主動相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
AON7406除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
AON7406除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。



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